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Ti 掺杂及退火处理对水热合成 WO 3纳米晶粒结构及气敏性能的影响.pdf
年第 期( )卷
04096 2015 4 46
文章编号: ( )
1001-9731 2015 04-04096-06
Ti掺杂及退火处理对水热合成WO3 纳米晶粒结构及
气敏性能的影响∗
, , , , ,
冯媛媛 杨晓红 左佳奇 王长远 王 维 马 勇
( , )
重庆师范大学 物理与电子工程学院 重庆 401331
: 近年来基于 纳米材料的气敏传感器件一直
摘 要 采用水热法制备了不同掺杂浓度的 WO
WO ∶3 3
, . 、 , 的气敏性能研究很少,
纳米晶粒 并在 下退火 采用 是研究热点 但对 掺杂
Ti 350 ℃ 1 h SEM Ti WO3
, ,
表征了材料的形貌与结构 并测试了用退火前后 而前面所述的 掺杂 研究成果表明 掺杂所
XRD Ti WO3 Ti
合成材料制成的薄膜气敏传感器件在 200 ℃下对 引起的结构性质的改变应同样会影响WO3 气敏性能.
[ ]
13
. ,
NO 的气敏性能 结果表明 Ti 掺杂可以有效抑制 本文采用简易水热法 制备了结晶良好的不同 掺
2 Ti
, ; ,
WO3 晶粒的生长 减小晶粒尺寸 退火处理使材料的 杂浓度的WO3 纳米材料 用退火前后合成材料制备了
, , , ,
晶相发生了改变 晶粒尺寸进一步减小 晶粒分散性变 薄膜气敏传感器 同时研究了其对 NO2 的气敏效应
. , .
好 薄膜传感器件的测试结果显示 适量 掺杂和退 并探讨了其气敏机理
Ti
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