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Ti 掺杂及退火处理对水热合成 WO 3纳米晶粒结构及气敏性能的影响.pdf

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Ti 掺杂及退火处理对水热合成 WO 3纳米晶粒结构及气敏性能的影响.pdf

年第 期( )卷 04096 2015 4 46 文章编号: ( ) 1001-9731 2015 04-04096-06 Ti掺杂及退火处理对水热合成WO3 纳米晶粒结构及 气敏性能的影响∗ , , , , , 冯媛媛 杨晓红 左佳奇 王长远 王 维 马 勇     ( , ) 重庆师范大学 物理与电子工程学院 重庆 401331 : 近年来基于 纳米材料的气敏传感器件一直 摘 要 采用水热法制备了不同掺杂浓度的 WO     WO ∶3 3 , . 、 , 的气敏性能研究很少, 纳米晶粒 并在 下退火 采用 是研究热点 但对 掺杂 Ti 350 ℃ 1 h SEM Ti WO3 , , 表征了材料的形貌与结构 并测试了用退火前后 而前面所述的 掺杂 研究成果表明 掺杂所 XRD Ti WO3 Ti 合成材料制成的薄膜气敏传感器件在 200 ℃下对 引起的结构性质的改变应同样会影响WO3 气敏性能. [ ] 13 . , NO 的气敏性能 结果表明 Ti 掺杂可以有效抑制 本文采用简易水热法 制备了结晶良好的不同 掺 2 Ti , ; , WO3 晶粒的生长 减小晶粒尺寸 退火处理使材料的 杂浓度的WO3 纳米材料 用退火前后合成材料制备了 , , , , 晶相发生了改变 晶粒尺寸进一步减小 晶粒分散性变 薄膜气敏传感器 同时研究了其对 NO2 的气敏效应 . , . 好 薄膜传感器件的测试结果显示 适量 掺杂和退 并探讨了其气敏机理 Ti

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