ZnO-SnO2透明导电膜的低温制备及性质.pdfVIP

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2015-09-02 发布于湖北
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第卷第期半导体学报， 25 1 VOI .25 NO . 1 年月， 2004 1 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan . 2004 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! ZnO-snO2 透明导电膜的低温制备及性质 1 1 2 1 1 1 黄树来马瑾刘晓梅马洪磊孙征张德恒（山东大学物理与微电子学院，济南） 1 250100 （山东大学计算机学院，济南） 2 250100 摘要：在室温下，采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出透明导电薄膜制备的薄膜为非晶结 7059 ZnO-SnO . 2 构，并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压薄膜的最小电阻率为 - 3 · ，载流子浓度为 . 7 .27 X 10 ! cm 19 - 3 、霍尔迁移率为 2 （·），在可见光范围内的平均透过率达到了 4 .3 X 10 cm 20 .5cm / V S 90 % . 关键词：透明导电膜；ZnO-SnO ；射频磁控溅射 2 ：；； PACC 8155G 7865 7360 中图分类号： + 文献标识码：文章编号：（） TN304 .2 1 A 0253-4177 2004 01-0056-04 ［］［］阻率大于 8 9 ZnSnO3 的电阻率 . EnOki 等人采用磁 1 引言控溅射法在400 C 的衬底温度下制备的Zn Sn