ZnO单晶堆垒纳米棒的制备与表征.pdfVIP

勤 能 材 料 ZnO单晶堆垒纳米棒的制备与表征。 孙海波1一，石 锋1，曹玉萍1，薛成山1，修显武1 (1．山东师范大学半导体研究所，山东济南250014；2．山东交通学院数理系，山东济南250023) 摘要： 在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜，然后 在o。气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米 棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显火后得到Au点阵模板。 微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红ZnO多单晶堆垒纳米棒的生长：采用射频磁控 外(FTIR)光谱对样品进行分析。结果表明，ZnO纳米 棒是由诸多单晶堆垒而成，每个单晶均为六方纤锌矿 结构，纳米棒直径在lOOnm左右。初步探讨了Zn0单在o。气氛中高温退火，退火温度和时间分别为 晶堆垒纳米棒可能的生长机理。 1000℃和20min，退火后样品表面观察有白色覆盖物。 关键词： 氧化锌；单晶堆垒；纳米棒 以卜两个溅射过程，系统背景真空皆为2．7×10_3Pa， 中图分类号：TB304．22 文献标识码：A 溅射时通高纯Ar(99．999％)，气压为2．0Pa。 文章编号：1001-9731(2010)03—0520—03 D／ 1 引 言 氧化锌(ZnO)属于Ⅱ一Ⅵ族直接带隙宽禁带化合Philip 物半导体，室温下禁带宽度约为3．37eV，激子结合能 分析。 (60meV)比GaN的(25meV)还要高，这使其激子发射 在常温下变为现实，因此在蓝光发射领域ZnO具有广 3结果与讨论 泛的应用前景。与体材料相比，一维ZnO纳米器件更 容易实现室温下有效的紫外受激辐射，因此实现可控 图1是溅射Au退火后样品表面形貌的SEM照 定向生长高质量的一维ZnO纳米材料是实现蓝紫外 片。从照片上看整个样品表面覆盖着大量Au纳米 点，Au点大小均匀，直径约为80nm。从图上观测Au 发光的一个有效途径。自从2001年ZnO纳米带的发 现和直立ZnO纳米阵列的激光发射实现以来u]，有关纳米点密度约为10／肛m2。此Au纳米点阵为下一步 ZnO各种纳米材料的制备，尤其是有序生长纳米结构 ZnO单晶堆垒纳米棒的牛成提供r生长模板。 受到人们的极大关注。目前利用水热沉积【21、物理气 相沉积(PVD)[引、金属有机化学气相沉积(MOCVD) 等方法[43已经制备出了各种有序生长的ZnO纳米结 构。实验中普遍采用的技术包括照相平版印刷151、纳 米球刻蚀技术嘲、电子束印刷【7j、催化模板技术¨1等。 采用磁控溅射在Si衬底上：制备Au点阵模板，然 后再溅射ZnO薄膜，1000℃退火制备出了大量ZnO单 晶堆垒结构的纳米棒，纳米棒大部分垂直衬底生长。 在ZnO纳米材料中单晶堆垒还是一种新型结构，在以 往文献中未见报道。 1 SEM ofAu Fig image template 2 实 验 图2是在Au点阵模板上溅射ZnO退火后样品表 实验主要分为两个过程：Au点模板的制备和ZnO 片，整个样品表面被高密度的棒状结构所覆盖，棒状结 多单晶堆垒纳米棒的生长。 构大部分直立有序生长且分布均匀，排列密度大约为 Au点模板制备：采用未抛光Si(111)作衬底，溅射 靶为99．999％的Au靶，在JCK一500A型射频磁控溅 部分棒状结