ZnO多角晶须的制备及表征.pdfVIP

助 锨 材 料 ZnO多角晶须的制备及表征’ 冯立兵，刘爱华，刘 玫，马玉英，满宝元 (山东师范大学物理与电子科学学院，山东济南250014) 摘 要： 采用脉冲激光沉积技术先在Si(111)衬底上 制备Zn薄膜，然后在石英炉中热蒸发金属锌粉的方法 99．99％)金属靶材。沉积条件如表1所述。 制备了Zn0晶须。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电 表1 PLD制备Zn薄膜的工艺参数 Table1 The oftheZnfilms 子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透 depositionparameters by 射电子显微镜(HRTEM)和光致发光(PL)谱对样品的PLD 结构、成分、形貌和光学特性进行了表征。结果表明， 工艺参数 数值 工艺参数 数值 采用此方法得到的ZnO多角晶须为六方纤锌矿结构， 背景真空(Pa) 4×10一‘ 激光波长(nm)1064 其根部直径大约在100～500nm之间，尖部直径大约激光能量(1TlJ) 200 重复频率(Hz) 10 为40nm左右，长约几个微米。Zn薄膜能够有效地促溅射氩气压强(Pa) 1．3 靶基距(mm) 40 村底温度(℃) 100 沉积时间(min)30 使晶核的形成与长大从而促进了Zn0晶须的形成。 通过称重的方法得出Zn薄膜厚度约为100nm。 最后，简单讨论了ZnO纳米晶须的生长机制。 关键词：ZnO；晶须；X射线衍射；光致发光 中图分类号：TN304 文献标识码：A 英舟一端，另一端放置镀有Zn膜的Si衬底(粉末与Si 衬底之间的距离为lcm)并将一个两端开口的石英帽 文章编号：1001—9731(2010)06—1064—04 1 引 言 温区温度达到900℃时，将装有蒸发源和衬底的石英 氧化锌(Zn0)是一种十分优异的直接带隙宽禁带舟送入管式炉的恒温区中，同时将炉子的一端封住，恒 半导体材料，室温下的带隙宽度为3．37eV，比传统半温保持20min，然后关闭气阀，最后将石英舟迅速拉出 导体材料的禁带宽度更宽，其激子结合能高达 炉管在空气中冷却至室温，在衬底上获得大量的白色 60meV，在紫外波段具有强的自由激子跃迁发光，是继轻质绒状沉积物样品。将样品从管式炉中取出后，进 GaN之后国际上又一研究热点。近年来，由于在基础 行一系列的测试分析。另外，在上述实验相同的条件 研究和新一代的纳米器件制备方面的潜在应用价值， 下，我们还做了对照实验，把没有镀Zn薄膜的衬底也 以及在发展新型电子器件和量子尺寸效应等方面的优 放在了相同的石英舟上进行比较。 D／max-rBCu 势，一维ZnO纳米结构，特别是ZnO纳米线和纳米棒 用X射线衍射仪(XRD，Rigaku 的制备和生长机理研究成为非常热门的方向，引起了 Ka)对样品的结构进行测量分析；利用傅立叶红外光 人们的广泛关注。很多新技术新方法已被用于制备 ZnO纳米结构，如化学气相沉积法(CVD)[1]、有机金 属化学气相沉积法(MOCVD)[2]、脉冲激光沉积法 H一800)，高 S-570)、透射电子显微镜(TEM，Hitachi (PLD)[3‘、化学溶液沉积法(CBD)[4。、模板辅助法[51、