一种高PSR CMOS带隙基准电路设计.pdfVIP

2014年7月1日 现代电子技术 Jul.2014 第37卷第13期 ModernElectronicsTechnique Vol.37 No. 13 153 153 一种高PSR CMOS 带隙基准电路设计 贺志伟，姜岩峰 （北方工业大学 微电子研究中心，北京 100144） 摘 要：为了降低芯片电路功耗，电源电压需要不断的减小，这将导致电源噪声对基准电压产生严重影响。为此针对 这一问题进行相关研究，采用SMIC 0.18 μm工艺，设计出一种低功耗、低温度系数的高PSR带隙基准电压源。仿真结果表 明，该设计带隙基准源的PSR在50 kHz与100kHz分别为-65.13dB和-53.85 dB；在2~6 V电源电压下，工作电流为30 μA， 温度系数为30.38 ppm/℃，电压调整率为71.47 μV/V。该带隙基准适用于在低功耗高PSR性能需求的LDOs电路中应用。 关键词：带隙基准电压；低功耗；电源抑制；电路设计 中图分类号：TN402⁃34 文献标识码：A 文章编号：1004⁃373X（2014）13⁃0153⁃03 Design of CMOS bandgap voltage reference circuit with high PSR HEZhi⁃wei，JIANGYan⁃feng （MicroelectronicResearchCenter，NorthChinaUniversityofTechnology，Beijing 100144，China） Abstract：Thepowersupplyvoltageneedstobeconstantlydecreasedtomeettherequirementofreducingthelow⁃power consumptionofIC，butitmayleadtothenegativeimpactofpowersupplynoiseonthereferencevoltage.Alow⁃powerconsump⁃ tionbandgapvoltagereferencewithhighPSR （powersupplyrejection）andlow⁃temperaturecoefficentwasdesignbasedonin SMIC0.18μm process. The simulation results show that the PSR of the bandgap reference source is-65.13 dB at 50 kHz and-53.85 dBat 100 kHzrespectively；at 2~6 Vsupplyvoltage，thesupplycurrentis 30 μA，thetemperaturecoefficientis 30.38 ppm/℃，andthevoltageregulationrateis 71.47 μV/V.ThebandgapvoltagereferenceissuitableforLDOscircuitwhich hastherequirementsoflow⁃powerconsumptionandhighPSR. Keywo