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第35卷 第9期 稀有金属材料与工程 VoI．35．No．9 2006年 9月 RAREMETALMATERJALSALND ENGn寸EERING 2006 September 不同偏压下铀表面多弧离子镀TiN薄膜性能研究 刘天伟1，一，鲜晓斌1，武 胜1，董 闯2 (1．大连理工大学三束国家重点实验室，辽宁大连l16024) (2．表面物理与化学国家重点实验室，四川绵阳621907) 摘 要：不同偏压下利用多弧离子镀技术在u基体上制备了TiN薄膜。利用x射线衍射(xRD)分析了薄膜的微观组 织结构，用扫描电镜fSEM)观察其表面形貌。结果表明：所得薄膜为单一TiN结构，薄膜表面平整、致密，但局部仍存 在大颗粒。摩擦磨损实验测定了薄膜的磨损性能。随偏压的上升，摩擦系数由0．42l变为O．40l。同时利用x射线光电 子能谱分析仪(xPS)对湿热腐蚀20d后的样品进行了分析，并利用电化学极化实验在O．5“g儋c1_溶液中测试了基体及薄 膜耐蚀性能。结果表明：TiN涂层提高了贫铀的抗腐蚀性能。 关键词：多弧离子镀；铀；TiN；偏压 1703 中图法分类号：TG 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2006)09．1437．04 贫铀作为实验样品，用水砂纸将U试样逐级磨至10004 1 引 言 砂纸，丙酮、酒精擦洗，吹干后放入真空室。真空度 金属铀具有独特核性能使其广泛地应用于国防和 达到约5×10。Pa时，升温至200℃烘烤40min。实 核能等工程领域。但铀化学性质非常活泼，即使在自 验开始前用一800V的Ar离子清洗基体20min，露出 然环境中也易发生腐蚀…。许多表面改性技术(例如： 洁净表面。镀制TiN膜前，先沉积5min的Ti以提高 喷涂、电镀、蒸镀等方法)都曾尝试着用于核材料的抗 膜基结合强度，然后沉积TiN，实验工艺参数见表1。 腐蚀研究，然而遗憾的是这些技术都存在着一些自身 制膜时本底真空度为4．0×10。Pa，沉积Ti膜时使用 难以克服的缺陷，未能得到理想的效果【2J。由于TiN Ar，沉积TiN使用N2。 薄膜可制作扩散障碍层、装饰膜、硬质膜，具有优良 的抗腐蚀性能、力学性能及漂亮的金黄色外观等优点 表1 TiN膜制备工艺参数及部分实验结果 坠垒!!!呈兰!苎竺!!!坚苎呈垒12巴!!!!竺!兰苎2111塑垒!翌P!!P苎!苎!!竺竺 越来越受到人们的关注[3~5】。但薄膜中存在的微孑L、空 洞和裂纹等缺陷将降低其使用寿命。因此如何消除这 。 ， Ar 竺 N2 伽ge‘．，竺Times 些缺陷是极其重要的。偏压可以影响离子的能量，其 轰击将有利于形核、细化晶粒，导致薄膜化学组成、 1“ 5 lOO 5 20×802．5 45 2“。 。5 5。 20×80。”…” 2．2。‘。 45。。 点阵参数的变化；离子的轰击不但使得膜／基体产生界 400霉o ～100 面混合，提高薄膜结合力，同时还使原来沉积的原子 34 5 400