不同柔性衬底上C dS薄膜退火前后的性能比较.pdfVIP

第 卷第 期 年 月 43 4 红外与激光工程 2014 4 Vol.43 No.4 Infrared and Laser Engineering Apr.2014 不同柔性衬底上CdS 薄膜退火前后的性能比较 丛 家铭 1 ，潘永 强 1 ，邬 云华 2 ，张传 军 2 ，王善 力 2 ( 1. 西安 工业 大学 光 电工程 学院 ，陕西 西安 710032 ； 2 . 上 海太 阳能 电池研 究与发展 中心 ，上 海 201201) 摘 要： 采 用磁控溅射 法分别在 柔性 PI衬底 、柔性 AZO 衬底和 柔性 ITO 衬底上制备 CdS 薄膜 ，并在 干燥 空气 中以 CdCl2 为源 380 ℃退 火 ，分别研 究 了不 同柔性衬底及 退 火工艺对 CdS 薄膜形貌 、结构和 光 学性 能的影响 。 研 究结果表 明 ：退 火前在 不 同柔性衬底上 的 CdS 薄膜形貌依赖 于衬底 类型 ，退 火后 CdS 薄膜 的晶粒再结 晶 ，晶粒度增 大明显 ，且 不再依 赖 于衬底 类型 。 不 同柔性衬底上 CdS 薄膜均为立 方相和 六 角相 的混相 结构 ，退 火后 ，六 角相 比例 增 大 ，薄膜 的结 晶质量提 高。 透过 率退 火后 改善 明显 ， 其 中，在 柔性 AZO 衬底上 的 CdS 薄膜透过 率超过 80 % 。 关键词： 柔性衬底 ； CdS 薄膜 ； 磁控溅射 ； 退 火处理 中图分类号： O484 .4 文献标志码： A 文章编号： 1007-2276(2014)04- 1235-05 Comparison of CdS thin films on different flexible substrates before and after annealing 1 1 2 2 2 Cong Jiaming , Pan Yongqiang , Wu Yunhua , Zhang Chuanjun , Wang Shanli ( 1. School of Optoelectronics Engineering , Xi ′an Technological University , Xi ′an 710032 , China ; 2 . Shanghai Center for Photovoltaics, Shanghai 201201, China) Abstract : The CdS thin films were prepared on Flexible PI 、AZO and ITO substrates by r .f . magnetron sputtering technique ，and annealed at 380 ℃ in CdCl2 and dry air . The morphology , str