低介电常数纯硅数分子筛薄膜的制备与表征.pdfVIP

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低介电常数纯硅数分子筛薄膜的制备与表征.pdf

110 材科工稷/2008年lo期 低介电常数纯硅数分子筛薄膜的制备与表征 ofUltravioletTreatmenton ofPure~silica Application Synthesis ZeoliteLowDielectricConstantThinFilms 袁吴,解丽丽,田震,王利军 (上海第二工业大学城市建设与环境工程学院,上海201209) YUANHao,XIELi—li.TlANZhen,WANG Li-jun (SchoolofUrban andEnvironmental Development Engineering, Second 201209,China) ShanghaiPolytechnicUniversity,Shanghai 摘要:介缨了一种耩铬其有低介曦常数氧化硅分乎筛薄膜的新方法。以正硅酸乙酯为硅源,阴丙基氢氧诧谈(TPAOH) 为模板剂和碱源,采舣水热晶化技术,通过原位法在硅晶片表面制备出纯二氧化硅透明分子筛薄膜;采用紫外光解法脱 除分子筛薄膜孔道内的模板剂,制胬】出具有低介电性能的氧化被分子筛薄膜。使用FT-IR,XRD和SEM对样品进行了 结毒鸯度缝,劳采矮戮撬分辑经嚣爨了薄簇熬奔毫鬻数,采惩续米矮度黄嚣量薄膜瓣弹性横蟹秘硬度。 关键潲:紫外光解法;有机模板莉;氧化硅分子筛薄膜 中圈分类号:0649文献标识码:A 文章编号:1001-4381(2008)10-0110-04 novel was inthe of zeolitethin Abstract:A approach pure-silica photochemical developedpreparation films lowdielectric zeolitefilmswere onsili- having constants(£)。Transparentpure-silica synthesized conwafers reaction,inwhich usedassilica throughhydrothermal andalkaline treat- ammoniumoxide(TPAOH)assource.Anultraviolet source,tetrapropyl template mentwas tOremovethe withinthe ofzeolite templates subsequentlyapplied organic pores/channels films.ThethinfilmswerecharacterizedFT-IR,XRDandSEM beforeandafte

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