利用金刚石纳米粉引晶方法制备高硼掺杂金刚石薄膜.pdfVIP

第30卷第3期 河南科技大学学报：自然科学版 V01．30No．3 2009年6月 JoumalofHenan ofScienceand Science Jun． 2009 Universily Technology：Natu地l 利用金刚石纳米粉引晶方法制备 高硼掺杂金刚石薄膜 杨传径1，陈庆东1，杜凯1，高春晓2，刘才龙2 (1．河南科技大学理学院，河南洛阳47l003；2．吉林大学超硬材料国家重点实验室，吉林长春130012) 摘要：利用金刚石纳米粉引晶方法在si0：衬底上合成了高硼掺杂金刚石薄膜，并利用范德堡法、扫描电镜、激 光拉曼方法对不同掺杂量下生长的样品进行了表征。sEM和拉曼谱分析表明。少量掺杂时有利于提高金刚 石薄膜的质量。但是随着掺杂量的增加，金刚石薄膜质量开始明显下降；并且拉曼谱峰在500cm。和1200 cm“开始加强．呈现重掺杂金刚石薄膜的典型特征。其电导率随着温度升高而升高，表明导电性质为半导体 导电。 关键词：热丝cVD；纳米引晶；掺杂金刚石薄膜 中图分类号：TB43 文献标识码：A ． U 刖罱 金刚石薄膜具有很好的物理化学性能，近些年来金刚石薄膜的制备取得很大的进步，本征金刚石薄 膜为绝缘体，但是掺杂金刚石薄膜却具有很好的半导体导电性，由于其禁带宽度宽(5．5eV)空穴迁移 率高，载流子饱和速度太，以及化学稳定性好、热导率高，所以人们期望掺杂金剐石薄膜在微电子领域得 到很好的应用，虽然近些年人们已经付出了很大的努力，但仍未取得突破性进展，主要原因之一是掺杂 金刚石薄膜的生长对衬底的要求十分苛刻，在很多衬底上很难生长出高质量的金刚石薄膜，并且在沉积 前一般要对衬底进行研磨等预处理，从而在某种程度破坏了衬底。采用金刚石纳米粉引晶方法可以在 很多非常规衬底上生长硼掺杂金刚石薄膜，无需研磨，对衬底没有破环并且生长速率较高，可以达到2 斗m／h。通过查阅大量文献¨“’，除了吉林大学对其有相关报道外，其它文献还少有报道。 本文采用热丝cVD设备，利用纳米粉引晶方法，在氧化硅等衬底上制备高掺杂金刚石薄膜。并采 用扫描电镜，激光拉曼谱，对其性质进行了表征分析，利用范德堡法对其电阻率随温度的变化进行了表 征分析。 1 实验 1．1 实验原料及器材 本文实验器材为吉林大学超硬材料国家重点实验室的热丝CVD，磁控弧光等离子体多靶磁控溅射 装置，离心机，超声仪，spex-1403激光喇曼光谱仪，等。实验原料为单晶硅、硅靶材、纳米金刚石粉、王 水、高锰酸钾、氟化氢、纯度为99．999％高纯硼粉、丙酮等。 1．2 实验过程 首先把切割好的2mm×2 mm的单晶硅清洗干净后放到磁控溅射设备里溅射一层大约800nm厚 的氧化硅薄膜待用。实验所用纳米金刚石粉采用电爆炸法制备的，含有大量石墨和无定形碳金属离子 等杂质，需把其放人王水、高锰酸钾、氟化氢溶液离心处理，以消除杂质。经过除杂后把其放到丙酮溶液 里超声处理后静置一段时间取上层乳状溶液备用。把制备好的氧化硅衬底放人纳米粉溶液浸泡几秒后 取出在100℃烘箱里烘干，反复5次，然后放到丙酮里面超声处理以去除多余纳米粉颗粒。 基金项目：国家自然科学基金项目 作者简介：杨传径(1977一)，男．山东阳谷人，硕士 收稿日期：2008一12—30 万方数据 ·16· 河南科技大学学报：自然科学版 2009年 把制备好的衬底放到热 农1 硼粉掺杂金刚石薄膜沉积条件 丝cVD腔体底座上，抽成本底 真空，然后按指定CH。：H：为 l：100输入气体，当工作气压 Pa时打开电源 达到4．0×103 给衬底加热，先沉积大约2“m的本征金刚石薄膜，取出样品放到重铬酸钾洗液中加温到180℃煮20 min，除去金刚石薄膜中的石墨等杂质。取出样品清洗干净再放入腔体里生长掺杂金刚石薄膜，硼源为 纯度99．999％高纯硼