博通高通Marvell出招应对无线芯片竞争.pdfVIP

L!●jC巾hina国in集tegr成ated电Cri路cuit 业‘界要闻。—’ 试。现在已与东电电子 (TEL)的涂布显影装置 合趋势，无线通讯芯片新一回合竞争战局样貌已渐 “LithiusPro”(用于EUV工序)连接。IMEC表示， 趋清楚，包括博通、高通、Marvell等各打各的如意算 “吞 吐量 为 ASML公 司曝光工艺评测用 (Alpha 盘。 DemoTool：ADT)EUV曝光装置的20倍 ，计划在 事实上，以博通与高通近期策略布局转折来看， 2012年初期实现 100W 的光源输出功率和6O张 ／ 可发现包括WLAN技术在内的无线网路技术，似乎 小时的吞吐量”。重叠精度方面，根据此次的成果确 已成为这些大厂在新一回合竞争赛局布局关键点， 认了具有达到 目标的4nm以下的潜在能力。分辨率 相较于手机芯片，无线网路技术多元化且持续兴起 在使用偶极照明时可达到20nm以下，对于IMEC 的新应用，将可让这些大厂更灵活调度卡位新客户 的目标——2013年确立分辨率达到 16nm的量产技 与新应用市场，进而带动其手机芯片或其它旗舰型 术来说，此次成果具有里程碑的意义。(来 自SEMI) 产品线进入市场卡位。(来 自CSIA) 三星成功流片全球 lR高压栅级驱动 IC采用 第一颗 20nm工艺试验芯片 POFN4x4封装减少高达 85％占位面积 三星电子 日前宣布，已经成功实现了20nm工 国际整流器公司 (InternationalRectifier，简称 艺试验芯片的流片，这也是迄今为止业 内最先进的 IR)扩展其封装系列，推出PQFN4mmx4ram封装。 半导体制造工艺。三星电子此番利用了美国3uklI电 IR最新的高压栅级驱动 Ic采用该封装，为家用电 子设计 自动化企业 CadenceDesignSystems提供的 器、工业 自动化、电动工具和替代能源等一系列应用 一 体 化 数 字 流 程 RTL-to—GDSII。这 套 基 于 提供了超紧凑 、高密度和高效率的解决方案。 Encounter的流程和方法完全能够满足三星20nm试 新款PQFN4x4(优化式 MLPQ16引线)封装 验芯片从 IP集成到设计验证的复杂需求 ，包括 只需要 16mm 的占位空间，能够容纳许多原先需要 Encounter数字部署系统、EncounterRTL编译器 、 SOIC一16等大尺寸封装的IR高性能高电压栅级驱 Incisive企业模拟器 、Encounter电源 系统 、QRC 动 Ic，从而减少高达 85％的占位空间。新封装根据 Extraction提取工具 、Encounter计时系统、Encounter 适当的沿面距离与空隙要求进行设计，来实现适用 测试与物理验证系统 、EncounterNanoRoute路由等 于高达600V电压的坚固可靠设计。(来 自IR) 等。 三星的试验芯片 由ARMCortex—MO微处理器 Spansion携手飞思卡尔 和ARMArtisan物理 IP组成 ，不过三星并未透露采 构建存储开发平台 用20nm工艺制造的这颗芯片包含了多少晶体管、 在核心面积上又有多大。(来 自SEMI) NOR闪存提供商 Spansion公司今 日宣布将 与飞思卡尔公司合作 ，针对飞思卡尔塔式系统 博通高通Marvell (FreescaleTowerSystem)开发全新存储扩展模块。 出招应对无线芯片竞争 该模块为系统工程师在进行原型设计时提供更多灵 活性，使其更好地应对不断扩展的嵌人式应