原位沉淀-焙烧法制备NiOP-CNT复合材料及其电容性质.pdfVIP

年第 期( )卷 2854 2013 19 44 文章编号: ( ) 1001-9731 2013 19-2854-05 原位沉淀 焙烧法制备 / 复合材料及其电容性质∗ - NiO P-CNT , , , , 樊剑章 崔青霞 石 伟 周佳盼 米红宇 　 ( , ) 新疆大学 化学化工学院 新疆 乌鲁木齐 830046 : , , /; 摘 要 以聚吡咯衍生的碳纳米管作为载体 通过原 合 所制得的复合材料的比电容达到 　 　 356.2F Gao g [ ] , / 14 , 位沉淀 焙烧相结合 合成了新型的氧化镍 聚吡咯衍 等 用苯磺酸修饰过的碳纳米管与 复合 促进了 - NiO ( / ) 。 , 生碳纳米管 复合材料 采用粉末 射 复合物中 的利用率 使得复合物的比电容达到 NiO P-CNT X NiO [ ] 、 、 、 、 、 /; 15 , 线衍射 热重 能谱 扫描电镜 透射电镜 循环伏安以 384F Zhen 等 用多壁碳纳米管与 NiO 复合 该 g g 。 /, / 及恒流充放电测试对样品进行表征和分析 结果表 复合物比电容为 206F g 而纯 NiO 比电容不到 175F , , 。 , 明 须状 NiO 均匀地负载在聚吡咯衍生的碳管表面 g 可见 碳材料的引入对 NiO 的性能有较大的促进 。 。 构成了具有三维网络结构的复合物 基于这种特殊结 作用 ,