合成条件对多孔VO2薄膜形貌和光学性能的影响.pdfVIP

助 锨 对 料 2013年第2期(44)卷 合成条件对多孑LVO。薄膜形貌和光学性能的影响。 徐元杰，黄婉霞，施奇武，张 阳，宋林伟 (四川大学材料科学与工程学院，四川成都610064) 摘 要： 以云母(001)为衬底，采用无机溶胶一凝胶供了很好的基础材料。本文采用溶胶凝胶法，在不同 法，通过加入表面活性荆十二烷基三甲基溴化铵 合成条件下制备多孑LVO：薄膜．通过对其形貌及光学 (CTAB)，在不同条件下制备了多孔V0。薄膜。采用 性能的研究，分析不同合成条件对云母基多孑LVO。薄 SEM、FT—IR等手段分析了薄膜的表面形貌和热致相膜的微观形貌及相变性能的影响。 变性能。结果表明，膜的热处理工艺参数等对薄膜的 2 实 验 表面形貌、颗粒尺寸及光学性能有重要影响，多孔 VO。薄膜的形成与退火温度、保温时间及退火环境有 2．1薄膜的制备 关。 V。Oj溶胶的制备采用课题组前期口1使用的方法， 关键词：VO：薄膜；多孔；CTAB；光学性雏；形貌 V。Oj粉体，在850℃下保温0．5h待其融化 取5．09 中图分类号：TB34 文献标识码：A 后，迅速将其倒入去离子水中，持续搅拌后过滤得到深 文章编号：1001-9731(2013)02—0266—04棕色的V：()；溶胶。向制备好的溶胶中加入一定量的 表面活性剂CTAB并持续搅拌．待粘稠之后加人一定 1 引 言 量的酒精稀释，继续搅拌得到红褐色的溶胶。作为基 V0。薄膜作为一种具有热致相变的功能材料，在 底的云母片先在乙醇溶液中浸泡洗涤，然后依次在盐 68℃会发生从单斜结构半导体相到金红石结构金属相 酸、双氧水及去离子水的混合液(体积比1：2：5)和 的可逆转变。伴随相变的发生，VO。薄膜的光学及电 氨水、双氧水及去离子水的混合液(1：2：5)中煮沸洗 学性质也会发生突变，这使V()：薄膜在光电开关、光 涤各O．5h。在KW4A型台式匀胶机上(2000r／min， 存储器件、热敏材料、智能窗等领域有广泛的应用前 20s)采用旋涂法在云母片基底上制备V：Oj薄膜，然 景m。 后在烘箱中干燥，重复2次以增加薄膜厚度。将凝胶 随着信息技术的发展，传统的表面存储技术在日 薄膜在N。气氛中，以8‘C／rain的升温速率升至不同 益缩小的存储区域内热力学变得不稳定，其发展已经 温度，保温l～2h，在N：气氛中随炉冷却至室温，得到 达到了极限并很难突破。光信息存储具有能并行写／ 多孔VO。薄膜。 读、存储容量高、数据传输速率快等优点，成为当今计 2．2样品的性能及表征 算机存储技术发展的重要方向Ⅵ]。而光信息存储技术 的应用很大程度上取决于合适的基础材料。VO。薄 膜具有可逆稳定的相变，较高的疲劳抗性，较低的激发 换红外光谱仪及自带的智能控温设备测试薄膜在不同 能量，基本满足了光信息存储对丁材料的要求b。，以它 温度下红外透过率，升降温过程中每2℃区间测量一 为基础的光存储器件的研究近年来越来越多。然而 次，透过率数据取薄膜在波长4ffm处对应的透过率 VO。薄膜应用于光存储器件也存在一些不足，首先其 值。薄膜升温和降温相变温度分别为升温和降温过程 相变温度过高，不利于实际应用；其次，VO。薄膜的滞 中透过率对温度的一阶微分曲线极值点对应的温度 后温宽较窄，相变陡然性较好，不适于大存储量器 值，薄膜相变温度为升温降温相变温度的平均值，滞后 件口]。因此．关于降低VO：薄膜温度、增大其滞后温 温宽为升温与降温