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2012 年 10 月 UCC28700 至 UCC28710 UCC28700 UCC28710 启动 13M~20M 电阻器 集成型 HV JFET 待机功耗 30mW 10mW UCC28700 UCC28710 TI Information – Selective Disclosure TI Confidential – NDA Restrictions Texas Instruments Confidential NDA Restrictions TI Confidential – NDA Restrictions TI Confidential – NDA Restrictions UCC28700/01/02/03 原边调节的恒压、恒流 PWM 控制器 手机充电器要求 满足不同标准的要求 能源之星标准的效率要求 5 星级待机功耗 针对调节及瞬态响应的 USB 标准 EN55022 EMI 标准 成本 对成本极为敏感 元件数少且简单易用 UCC28700/1/2/3 原边控制器 通用充电解决方案, AC 适配器 低功耗 AC/DC 开关电源 (SMPS) 电表 30mW 无负载功耗(满足 5 星级 EC IPP 标准要求) 原边调节 (PSR) ,不用光耦反馈 ±5% 电压和电流调节性能 130 kHz 最大开关频率可实现高功率密度充电器设计 准谐振谷底开关操作可实现高效率 频率抖动方案(专利申请中)可简化 EMI 兼容性 宽 VDD 范围 (35V) 允许使用小的偏置电容器 输出驱动MOSFET 保护功能:过压、欠压和过流 可调节电缆补偿 (UCC28700) 具有固定电缆补偿的 NTC 电阻器接口选项(UCC28701/2/3) SOT23-6 封装 器件型号 无负载功耗 引脚 1 电缆补偿 UCC28700 30mW CBC 可调节 UCC28701 30mW NTC/SD 0mV@5Vout UCC28702 30mW NTC/SD 150mV@5Vout UCC28703 30mW NTC/SD 300mV@5Vout SOT23-6 (顶视图) GND CBC (00) NTC (01/02/03) VS VDD CS DRV 宽 VDD 范围 8V~35V 采用电阻启动,启动时间 1 s 不使用高电压启动 MOSFET,最大限度地降低了系统成本 允许使用低容值 VDD 电容器:220nF 至 470nF 启动电阻为 13M 至 20MΩ,以尽量减小待机功耗的影响。 (8mW 和 5mW @230V AC) 在恒电流调节期间允许极低输出电压,以满足 USB 标准的要求 25V 至 9V 的 VDD 范围可提供 5V 至 1.8V 的 Vout 范围。仍有额外的 10V VDD范围,保证设计余量。 SOT-6 封装,可腾出一个引脚用于实现其他功能。 可调型电缆补偿 (UCC28700) NTC 关断 (UCC28701/2/3) 启动时间:在 90VRMS 和满载条件下为 950ms 输入电容电压 输出电压 输出电流 952ms 原边电压检测 辅助绕组电压通过 VS 引脚上的电阻分压器进行检测 输出电压在次级电流导通时间结束时进行采样 消除了次级电流导通时间里的 IR 电压降 VS 信号鉴别可抑制漏感尖峰和振铃的干扰 在 VS 引脚上提供了可变消隐时间 检测点 恒压调节 电压调节准确度±5% 以内,满足 USB 标准的要求 高精度内部基准用于提供严格的调节 具有 ± 1% 准确度的 VS 内部 4V 基准 针对输出整流器电压降的温度补偿 如果采用 5:1 VS 电阻分压器和 1% 精度电阻器,分压器在最坏情况下容差在 1.6% 提供可选的电缆补偿 原边控制恒流调节 ±5% 恒流调节 原边电流调节 恒流 (CC) 调节基于原边峰值电流 (Ipri Pk) 和消磁时间占空比 (TDM/TSW) 恒流 (CC) 调节在最大原边峰值电流 (Ipri Pk max) 时进行。恒流调节环路在TDM/TSW 为 42.5% 时动作。当 Vout 下降时,Fsw 减低以保持 42.5% 的恒定 TDM 占空比。 电流调节受输入电压的影响 输入电压补偿可在整个输入电压范围内实现卓越的恒流 (CC) 调节性能 恒流 (CC) 调节基于原边峰值电流和消磁时间占空比 补偿 IC 内部延迟和栅极驱动关断延迟,以控制整个线路输入电压范围内的原边峰值电流 (Ipri Pk) 补偿由于 MOSFET Vds 关断上升时间导致的额外变压器初级峰值电流。MOSFET dv/dt 取决于初级电流 (Ipri) 和总漏极电容。 实际的峰值电流高于预计值 峰值电流误差与
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