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InGaN基太阳电池研究现状 林硕 （厦门大学 物理系,福建 厦门 361005） 摘要:本文首先小结了InGaN基太阳电池的优点和面临的主要困难.而后本文回顾了InGaN基太阳电池的研究现状:包括同质结,异质结,量子阱等几种结构的太阳电池.根据文献报导,目前InGaN基太阳电池在AM1.5G光谱下的最高实际效率为０.８％, 最高峰值外部量子效率为６３%(出现在光谱波长处).可见InGaN基太阳电池的研究目前正处于刚刚起步阶段. 关键词: InGaN;太阳电池;同质结;异质结;量子阱; 中图分类号： 文献标识码：A合金的禁带宽度在0.7eV（InN）～3.4eV(GaN)范围内可以连续变化, 几乎覆盖了整个太阳光谱. 这为制备超高效率的InGaN层叠太阳电池提供了可能性. 作为III-V族化合物半导体太阳电池材料中新的一员,InGaN材料作为候选的太阳电池材料除了禁带宽度在0.7eV～3.4eV连续可调,还具备许多优点.由于具备高硬度,耐高温,耐辐射（抗辐射能力比GaAS强很多）、耐酸碱的优点,InGaN材料非常适合于制备超高效率的太空太阳电池.它在In的组分由0到1变化范围内,都是直接禁带材料,具有很高的吸收系数,所以电池可以做得很薄,有利于节省材料.对层叠太阳电池而言,同一设备生长多结InGaN太阳电池比目前用几种不同的半导体材料制备太阳电池（如：InGaP/(In)GaAs/Ge系列太阳电池）方便了许多[3];更重要的是由于它属于同一合金体系（InGaN基）,InGaN层叠太阳电池各层之间应该具有较好的热膨胀匹配、电子亲和势匹配,满足制备层叠电池材料所必需的苛刻条件.InGaN材料由于极化和压电作用使其对高位错密度很不敏感,这有利于克服材料中的缺陷对太阳电池效率的不利影响[4].另外低In组分的InGaN材料已成功用于制备蓝光激光器（LD）、蓝光发光二级管（LED）、紫外探测器,这为应用InGaN材料制备InGaN太阳电池提供了技术准备. InGaN材料有小的有效质量,高的迁移率,从而扩散长度很长；这样产生的光生载流子容易被收集（这一点和有机材料恰恰相反）. １InGaN基太阳电池材料面临的主要问题 但是目前高质量、高In组分的InGaN材料生长还有一些困难如：p型掺杂、相分离（由于InN和GaN的晶格失配很大）、InN中很高的N2平衡蒸汽压,这些困难成为制备InGaN基层叠超高效率太阳电池的主要障碍.另外InGaN材料成本较高,只有太空或聚光应用的前景. ２InGaN基太阳电池研究现状 目前InGaN太阳电池的研究还处于非常初级的阶段.多个小组从实验上制备了同质结,异质结,复合量子阱,超晶格等形式的InGaN基太阳电池.电池在效率方面的报导多只在量子效率方面；在AM光谱下的效率还相当低.还未出现InGaN基层叠太阳电池的报导. 2.1 异质结太阳电池 Omkar Jani et al[4,5]首先从实验上制备了InGaN异质结太阳电池,他们设计的太阳电池的结构见图1. 不过他们的太阳电池生长质量不高,InGaN薄膜存在着明显的相分离,见光致发光图2. 图1 InGaN异质结太阳电池 Fig. 1 InGaN heterojunction solar cell 图2 InGaN相分离 Fig. 2 InGaN phase seperation Xinhe Zheng et al[6], Carl J. Neufeld et al[7]两个小组改进了生长条件,得到了非常好的In0.1Ga0.9N薄膜见图3或4,而且他们还优化了GaN/InGaN异质结界面见图5.Carl J. Neufeld et al报导了目前InGaN基太阳电池最高峰值外部量子效率63％,出现在光谱波长处. 图3 高质量GaN/InGaN的XRD Fig. 3 High quality GaN/InGaN XRD 图 4 高质量InGaN的PL Fig.4 High quality InGaN PL 图５　高质量GaN/InGaN/GaN的倒格子XRD(内部小插图是TEM横截面图像) Fig. ５　High quality GaN/InGaN/GaN Reciprocal space mapping of XRD (Inset is cross-sectional TEM image) Xinhe Zheng et al, Carl J. Neufeld“吸光不足”的问题, Ray-Hua Horng et al[8], 通过激光剥离蓝宝石衬底,键合等工艺,在GaN/In0.1Ga0.9N背面上键合反射镜(本征层In0.1Ga0.9N厚度仍只有150nm);这样第