图谱分析退火对CdTe多晶薄膜性能影响.pdfVIP

第30卷，第3期 光谱学与光谱分析 2010年3月 and March，2010 SpectroscopySpectralAnalysis 图谱分析退火对CdTe多晶薄膜性能影响 王文武，郑家贵’，冯良桓，蔡亚萍，雷 智，张静全，黎 兵，李 卫，武莉莉 四川大学材料科学与工程学院，四川成都610064 摘要对近空间蒸发系统制备的同一CdTe薄膜进行分割并在不同条件下进行退火，通过XRD、SEM、电 导温度关系以及XPS等研究退火后薄膜结构，各元素含虽分布以及价态变化。结果表明：刚沉积的(爿Te薄 晶界减小，降低通过晶界载流子复合概率，降低暗电导激活能，改善电池的并联电阻和漏电流。XPS测试表 明样品中存在碲的氧化物，而H随着刻蚀深度的增加氧化物明显减少。通过分析，认为样晶中可能存在 TeCl02的结构单元，导致薄膜性能的改变。样品表面氧元素含量较多，随着刻蚀深度的增加，氯氧2种元 素的含量明显减少，而且氯元素在样品中达到了稳定的分布。 关键词CdTe；退火；XPS 中图分类号：6110M；6170A文献标识码：A 引 言 1样品制备与测试 CdTe多晶薄膜在室温下的直接带隙为1．5eV，吸收系 1．1样品制备 数大于105cm～，与太阳光谱f‘分匹配，是一种理想的太阳 CdTe多晶薄膜是由我们自行设计的近空间升华系统制 电池材料，应用前景广泛。实验室小面积CdTe薄膜太阳电备‘It-14]。制备好的CdTe多品薄膜使用超声喷雾的方式加入 池的转换效率达到了16．5％Llj。 eACh，然后在不I司条件下退火30rain。样品退火条件见表 t 1。 刚沉积的CdTe多品薄膜，晶粒较小，化学配比接近1 1，它虽然是P型，但掺杂效应不明显，不适合制作电池必须 Table1 conditionsofCdTefilms 进行退火处理，退火处理通常在CdClz或者C12气中进行。 Annealing 它直接影响薄膜和器件的性能，如促进晶粒生长，并且使晶 界钝化‘2引。 目前(．kiTe退火已经进行很多研究。太阳电池是少子器 件，但是单从电子数日看，C1Te缺陷应该是施主。Park等认 为ClTc缺陷的浅施主能级趋于形成DX中心[8]。Castaldini等 列举了eAT。中氯施主原子的12种缺陷自陷级，同时也表明 A中心和中能级的重要性[9]。Valdna等认为(T砰一一C1T+e)一和 1．2样品测试 (％-CIT+。)一浅受主复合物促进P型(．kiTe膜高导电性的稳 x射线衍射测试在丹东射线仪器集团公司生产的Y-4Q 定[1…。fEi至今还未推断出说明(爿Clz处理影响的完整理论。 自动x射线衍射仪上进行。使用铜靶Ka线，扫描范围：10。 本文研究了退火条件对薄膜结构和性能的影响，用XPS ～90。，扫描速度：0．03。·S～。SEM用Hitachi S-450型扫描 分析退火后样品中元素的状态变化和分布，讨论了CdTe退 火的物理机制。 光电子能谱仪测量样品的XPS谱。系统真空度为：6．67× 10～7 Pa(5×10～T