AlN_InN和AlN_GaN超晶格能带结构研究.pdfVIP

物理学报 Acta Phys． Sin． Vol． 60 ，No． 8 (2011) 087807 * AlN / InN 和AlN / GaN 超晶格能带结构研究  芦 伟 徐 明 魏 屹 何 林 ( ， 6 10 10 1) 四川师范大学固体物理研究所 成都 (20 10 10 20 ;20 11 1 6 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 Krnig-Penney ， AlN / InN AlN / GaN 利用 模型和形变势理论 从理论上探讨了纤锌矿型 和 超晶格系统的能带结 ， 、 构及不同应变模式对能带结构的影响 计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律 超晶格的能量色散 、 ． ， 关系 应变造成的影响以及不同亚层厚度的系统禁带宽度和导带第一子禁带宽度 研究发现 通过改变亚层厚度可 ， ， ， 以从不同形式设计能带结构 应变会改变系统禁带宽度 使带阶和子能带明显窄化 价带结构趋于复杂甚至生成准 ． ， ， 能带结构 与实验结果对比后发现 该模型适于模拟窄势阱结构超晶格 而对于宽势阱则必须考虑内建电场的 作用． :AlN / InN AlN / GaN ，Krnig-Penney ， ， 关键词 和 超晶格 模型 应变 子能带 PACS :78. 67. Pt ，73. 2 1. Cd ，73. 20. At ，73. 40. Kp 准三元Ⅲ-N 与真正的Ⅲ-N 相比在某些方面具有更 ， 1. 引 言 加优异的性质 因此可以利用该结构提高器件性 ［8］． ，AlN / InN SL 能 所以 系统在光电器件领域具有 ( -N ) ． 以Ⅲ族氮化物 Ⅲ 为代表的第三代半导体 潜在的巨大应用价值 Krnig-Penney (K-P ) SL (SL) 20 模型是近似计算 和量 材料和以超晶格 为代表的低维结构是近 年