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- 2015-09-03 发布于江苏
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第3.2.2章 位错的能量性质及运动
第一部分、位错的能量性质 (应力场,畸变能,线张力)
(位错造成的晶格畸变)
第二部分、位错的运动 (运动方式,驱动力,阻力)
1
第一部分:位错的能量性质
第一部分:位错的能量性质 2
位错造成的晶格畸变
位错造成的晶格畸变
晶格畸变造成原子偏离平衡位置,导致能量升高
定量地分析位错造成的晶格畸变分布及能量升高,是研究位错
运动,并进而预测材料力学性能的基础。
位错造成的晶格畸变区分为两部分:
一)轻微畸变区:1. 管状弹性应力场
(重点) 2. 弹性应变能
3. 线张力 (应变能的另一种表述)
采用各向同性线弹性体力学模型
二)强烈畸变区:位错核心
用点阵模型
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