第3章 3.2.2位错的能量性质及运动.pdfVIP

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  • 2015-09-03 发布于江苏
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第3.2.2章 位错的能量性质及运动 第一部分、位错的能量性质 (应力场,畸变能,线张力) (位错造成的晶格畸变) 第二部分、位错的运动 (运动方式,驱动力,阻力) 1 第一部分:位错的能量性质 第一部分:位错的能量性质 2 位错造成的晶格畸变 位错造成的晶格畸变 晶格畸变造成原子偏离平衡位置,导致能量升高 定量地分析位错造成的晶格畸变分布及能量升高,是研究位错 运动,并进而预测材料力学性能的基础。 位错造成的晶格畸变区分为两部分: 一)轻微畸变区:1. 管状弹性应力场 (重点) 2. 弹性应变能 3. 线张力 (应变能的另一种表述) 采用各向同性线弹性体力学模型 二)强烈畸变区:位错核心 用点阵模型

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