低能量粒子磁控溅射沉积薄膜的蒙特卡罗模拟.pdfVIP

1 低能量粒子磁控溅射沉积薄膜的蒙特卡罗模拟 张德新 （郧阳师范高等专科学校物理系，湖北 丹江口442700 ） 邹卫东 （华中科技大学物理系，湖北 武汉430074 ） ［摘要］提出了一个磁控溅射的低能量粒子 （可以是离子或原子）加温沉积模型，特别考虑了溅射损伤和 有一定能量的入射粒子对基底的加温作用，并和真空沉积在相同外界条件下作了比较。利用蒙特卡罗方 法研究了低能量粒子 （ ）对金属原子沉积薄层的作用。结果表明，当溅射很弱时，粒子的加热作 100 eV 用会使沉积的薄膜更加平滑。 ［关键词］低能量粒子碰撞；磁控溅射沉积；薄膜；蒙特卡罗方法 ［中图分类号］ ［文献标识码］ ［文章编号］ （ ） 0484 . 1 A 1000 9752 2002 04 0112 03 ! 模型的建立 固体表面采用了正方形格子，可以近似模拟面心立方晶格的 （ ）面。为简化考虑，只允许入射粒子落 001 在表面某粒子的正上方。使用固体垒固体限制，即不允许有粒子悬挂在其他粒子的侧面，此限制也是为了简化 模型 （实际上单个粒子受重力的作用相对电磁作用来说完全可以忽略），在原子各向异性作用不太强时 （如金 属原子）可以采用。 粒子在固体表面上的物理过程主要有：吸附，迁移，凝聚，蒸发，溅射，加热等。对于迁移过程，只考虑 表面的势垒跳跃。温度不太高时，金属的蒸发效应是很微弱的，所以不讨论蒸发过程。 ［］ 对于吸附过程，只考虑单元素沉积。粒子入射流量均匀时，令吸附几率为 1 1 （粒子能量不高时 ），随机 选择一格点，将其格点的已有粒子数加 。 1 对于迁移和凝聚过程，在正方形格子表面，有 个最邻近位置可跃迁，如图 所 4 1 示。直接向次邻近格点位置的跃迁被略去，因为跳到次邻近位置要克服更大的势垒。 ［］ 吸附粒子的跃迁速率 2 Vh 通常利用阿仑尼斯速率公式 ： E ij kl （） V = V exp - 1 h 0 ( K B T ) 式中， 为基底温度； 为玻尔兹曼常数； 为吸附粒子从位置（，）跳到（，）所需 T K B Eij kl i j k l 的激发能， ； 为完整理想表面的迁移势垒，也假定同质外延； 为基 E = E + E E V ! ij