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在硅衬底上制备Si纳米线及其表征.pdf
第37卷第3期 人 工 晶 体 学 报 V01．37No．3
0FSYNTHETICCRYSTALS
2008年6月 JOURNAL June，2008
在硅衬底上制备Si纳米线及其表征
要秉文1，郝相雨2，籍凤秋1
(1．石家庄铁道学院材料科学q-r程分院，石家庄050043；2．石家庄铁道学院四方学院，石家庄050000)
M
摘要：采用以硅衬底为硅源的简单方法，在蘸有一层催化剂(0．05FeCh·6H：0)薄膜的硅基片上直接制备了大
米线的显微结构。试验结果表明：随着温度的升高，纳米线的直径增大；催化剂是si纳米线生成的重要因素，没有
沉积催化剂的硅基片上不会有硅纳米线的生成，且该硅纳米线的生长机理为典型的气．液．固模式。
关键词：硅纳米线；气-液-固机理；硅衬底
中图分类号：0484 文献标识码：A
andCharacterizationofSilica
Preparation
NanowiresontheSilicaSubstrate
YAO
Bing—wenl，HAOXiang．yu2。．11
Feng—qiul
0fMaterialScienceand
(1．School E．6neefing。ShijiazhuangRailway
lmfitude，shijiazhuan9050043．China；
2．Si
FangCollege，ShijiazhuangRailwayInstitude，Shijiazhuang050000，China)
(忍删13
February2008)
methodto
Abstract：A silicon the
simple synthesizesinglecrystal nanowires(SiNWs)oniron-deposided
siliconsubstratea M inthis and
catalytic(0．05
by FeCl2·6H20)isreportedpaper．Themorphologies
microstructuresof weredetermined electron
the鼬一grownproducts byscanning
transmissionelectron resultsshow
microscopy(TEM)andenergydispersivede
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