ⅢⅤ化合物半导体太阳电池的最新研究进展.pdfVIP

Ⅲ一V化合物半导体太阳电池的最新研究进展 刘如彬，王 帅，张 宝，孙 强，孙彦铮 (中国电子科技集团公司第十八研究所，天津300381) 摘要：介绍了晶格失配和反向生长等新技术及量子阱等新材料在Ⅲ一V化合物半导体太阳电池方面的研究进展。探讨了 相关的技术发展概况和技术难点，并就未来的发展趋势进行了展望。 关键词：晶格失配；反向生长；太阳电池 中图分类号：TM914．4 文献标识码：A 文章编号：1002—087 X(2009)07—0633—04 Research ofIII—V semiconductorsolarcell progress compound L1U Ru_bin，WANGShuai，ZHANGBao，SUNQiang，SUNYan—zheng InstituteofPower (Tianjin 300381，China) Sources，Tianjin Abstract：Newsuchas andnewmaterialssuchas wellswhichcan mismatch，inverted technology growth quantum beusedin solarcellswasreviewed．Therelative and in wasdiscussed．Andthe III—V progressdifficultytechnology futuredirectionwas prospected． cell words：mismatch；inverted Key growth；solar 自从20世纪50年代人类发明了硅太阳电池以来，太阳电 池就成了空间电源的主要角色。在接下来的几十年里，太阳电 池技术不断进步。由于空间恶劣的环境和空间飞行器不断对电 源系统提出更高的要求，人们日益迫切需要更高转换效率、更 好抗辐照性和适应空间恶劣温度变化的太阳电池出现。同时， 在全球气候变暖、人类生态环境恶化、常规能源资源短缺并造 成环境污染的形势下，太阳能光伏发电技术也普遍得到各国政 府的重视和支持。20世纪90年代初，人们制作出了光电转换 图1 晶格匹配的三结太阳电池Ga|nP／GaInAs／Ge结构示意图和 效率18％的GaAs太阳电池，此后，III—V族多结级联太阳电池 增进效率的方法 Schematicillustrationofthelattice-matched Fig．1 triple-junction 不断创造出更高的转换效率，目前GalnP／GalnAs／Gei结级联 celland for ofthecell approachesimprovingefficiency 太阳电池AMO转换效率已经接近30％。 最近几年，随着人们对半导体材料性质认识的深入，晶格 III—V太阳电池体系。通过①