各向异性磁阻传感器与磁场测量教材材料.pdfVIP

实验5-10 各向异性磁阻传感器与磁场测量 物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应，磁阻传感器利用磁阻效应制成。 磁场的测量可利用电磁感应，霍耳效应，磁阻效应等各种效应。其中磁阻效应法发展最 快，测量灵敏度最高。磁阻传感器可用于直接测量磁场，如弱磁场测量，地磁场测量，各种 导航系统中的罗盘，计算机中的磁盘驱动器，各种磁卡机等等。磁阻传感器也可通过磁场变 化测量其它物理量，如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器，各种接近开关， 隔离开关，广泛用于汽车，家电及各类需要自动检测与控制的领域。 MR AMR GMR 磁阻元件的发展经历了半导体磁阻（ ），各向异性磁阻（ ），巨磁阻（ ）， 庞磁阻（CMR ）等阶段。本实验研究AMR 的特性并利用它对磁场进行测量。 【实验目的】 1．了解AMR 的原理并对其特性进行实验研究。 2 ．测量赫姆霍兹线圈的磁场分布。 3 ．测量地磁场。 【实验原理】 AMR Anisotropic 各向异性磁阻传感器 （ Magneto-Resistive sensors ）由沉积在硅片上的坡莫合 金（Ni80 Fe20 ）薄膜形成电阻。沉积时外加磁场， 形成易磁化轴方向。易磁化轴是指各向异性的磁体 能获得最佳磁性能的方向，也就是无外界磁干扰时 磁畴整齐排列方向。 铁磁材料的电阻与电流和磁化方向的夹角有 关，电流与磁化方向平行时电阻 Rmax 最大，电流与 磁化方向垂直时电阻Rmin 最小，电流与磁化方向成θ 角时，电阻可表示为： R = R (R R )cos2 θ 5-10-1 min ＋ max － min （ ） 在磁阻传感器中，为了消除温度等外界因素对 图5-10-1 磁阻电桥 4 输出的影响，由 个相同的磁阻元件构成惠斯通电 桥，结构如图5-10-1 所示。图5-10-1 中，易磁化轴方向与 电 45 45 流方向的夹角为 度。理论分析与实践表明，采用 度偏置磁场，当沿与易磁化轴垂直的 方向施加外磁场，且外磁场强度不太大时，电桥输出与外加磁场强度成线性关系。 无外加磁场或外加磁场方向与易磁化轴方向平行时，磁化方向即易磁化轴方向，电桥的 4 个桥臂电阻阻值相同，输出为零。当在磁敏感方向施加如图 29-1 所示方向的磁场时，合 成磁化方向将在易磁化方向的基础上逆时针旋转。结果使左上和右下桥臂电流与磁化方向的 ΔR ΔR 夹角增大，电阻减小 ；右上与左下桥臂电流与磁化方向的夹角减小，电阻增大 。通过 对电桥的分析可知，此时输出电压可表示为： U V ΔR/R 5-10-2 ＝ × （ ） b V R 式中， 为电桥工作电压， 为桥臂电阻， b ΔR/R 为磁阻阻值的相对变化率，与外加磁 B ΔR/R=KB, AMR 场强度 成正比，即 故 磁 阻传感器输出电压与磁场强度的关系为 U=KV B ，因此可利用磁阻传感器测量磁 b K 场。其中 为磁阻传感