基于AuAu直接键合的高亮度ODRLED.pdfVIP

第29卷第3期 固体电子学研究与进展 V01．29，N。．3 2009年9月 OFSSE Sep．，2009 RESEARCH＆PROGRESS ．__】‘。I- 七=】 Cj 基于Au／Au直接键合的同冗度ODRLED‘ 李一博 郭 霞“ 关宝路 揣东旭 沈光地 (北京工业大学北京市光电子技术实验室，北京，100124) 2008·12—19收稿，2009—03一ii收改稿 摘要：提出利用Au／Au直接键合制作高亮度全方位反光镜(ODR)LED的新工艺。工艺采用Si做转移衬底，氧 化铟锡(ITO)做窗口层和缓冲层，在0．35mPa压力，260。C的低温下实现Au／Au固相直接键合。直接键合后，AI-