CeYIG薄膜中氧空位对光吸收性能的影响.pdf

第35卷第4期 红外与激光工程 2006年8月 V01．35No．4 m鱼lred柚dL船er 2006 En百neering Aug Ce：YlG薄膜中氧空位对光吸收性能的影响 王巍1．兰中文2。是志刚3 (1．重庆邮电大学光电工程系，重庆帅0065；2．电子科技大学微电子与固体电子学院 四川成都610054；3．电子科技大学电子工程学院，四Jll成都610054) 摘要：讨论了ce替代石榴石薄膜制备务件对其光吸收性能的影响。通过引入氧空住概念，提出了 溅射气氛中的氧含量对薄膜中ce元素价态影响的理论模型。基于该模型，讨论了ce：YIG晶体中氧空 住的产生机理。研究表明，当晶格中存在过量氧空位时，会导致部分F￡一被还原成Fe2+，使得薄膜的光 吸收显著增大。实验结果证实，在ce：ⅥG薄膜的晶化过程中，采用富氧气氛可以使得薄膜中ce元素 酌倚态以c矿离子为主而c矿离子含量较少，从而有效降低薄膜的光疆收。溅射气氛中的氧含量及后 续热处理过程中氧含量的大小均会直接影响ce：Ⅵ0薄膜的光吸收特性。 关键词：能带理论模型： 石榴石薄膜； 磁光效应； 光吸收 中图分类号：0484．1文献标识码：A 文章编号：1007—2276(2006)04—048卜04 E脏ctofthe ofCe：ⅥGmms oxygenVa明ncy on absOrption Optical pmperti鹳 wANG wdl，LAN办曲g-wen2，、Vu动i·gan矿 of Posc8衄d 0f sch∞l 400065，c托阻；2．sch00l (1 El∞Ⅱ珊ic血gi】1eeri玎g．曲oⅡgqinguniv铘时of nbc伽瑚晾撕叩8，choog啦g Mi吣lec口衄ics肌d El∞响nicSci髓∞趾d 610054，China： SoHd．St如Elech珊ics，Univ相谤of 1钳molq豺ofChina，西eDgdu 0f日亡c廿onic ofEl∞h∞icsd曲∞and 0f 3．scb001 Eng蛐研mg，u山耐ty TkllD咖ychina，ch∞窖血610054．chi皿) t11is effcct0fthe ofc鲥咄驯由幽ted Ah打act：111 pap盯．me pr印删衄00ndi岫l yt吐i咄ir咖乎哪!et wasdiscussed．皿e (ce：YIG)filⅡlon蛔m89netoop石cal鲫删ies船dopdcalabs唧60n 0xygen int0 b柚d me of vac如cies w船in仃oducedce：YIG concept