CZ硅中金属杂质的起源.pdfVIP

正旧 法 反 外延层 中的晶体缺陷 日本三 电 公司最近研 了 态源分子束 几勺 层 的交界面是 田 法 己女 外延层 的显 菱 子 究 气 泛沈 初 段 晶 。 验 以金属 外延 膜 始阶 的 休缺陷 实 锌 著特征 , , 卜 正沁 和 段 为源 在具有 义 稳定表面 的 与固态源 正 法 外延相 比较 由界面 乙勺 缓冲层上 生长 。 用反射高能 电子衍射 引起 的堆垛 层 错是 卜 法 记女 层 的特征 缺 , 原位监测 了 厚 的 延层 的生长 陷 固态 源 与 , 功 所用的不 同的硒源 附 外 姗 过程。 用平面与剖面 电子显微镜研 究外延层 的缺 是导致不 同类型缺陷的原 因 叭戊 , , , , , 陷特性得知 外延层 中堆垛层错密度为 护 一 之 数量 级 , 而 所 有 堆垛层 错均 起 源 于 乙 决 层 与