MOS管的工作原理及发热原因详细分析.pdfVIP

深圳杰瑞特科技有限公司原厂生产mos 管，从晶圆wafer 到成品都是自己研发 生产： 公司产品有高压500v mos 管：2n50,3n50，4n50,5n50,8n50 650v mos 管：1n65,2n65,3n65,4n65,6n65 可免费申请样品测试，联系深圳杰瑞特科技公司 张罗生先生 MOS 管的工作原理及发热原因分析 做电源，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS 管。MOS 管有很多种类，也有很多作用。做电源 或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。 无论N 型或者P 型MOS 管，其工作原理本质是一样的。MOS 管是由加在输入端栅极的电压来控 制输出端漏极的电流。MOS 管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三 极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS 管的开关速度应该比三 极管快。其主要原理如图：图1。 图1 MOS 管的工作原理 我们在开关电源中常用MOS 管的漏极开路电路，如图2 漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开 路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。这就是 MOS 管做开关器件的原理。当然MOS 管做开关使用的电路形式比较多了。 图2 NMOS 管的开路漏极电路 在开关电源应用方面，这种应用需要MOS 管定期导通和关断。比如，DC-DC 电源中常用的基本 降压转换器依赖两个 MOS 管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给 负载。我们常选择数百khz 乃至1MHz 以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常 工作期间，MOS 管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS 的最小传 导损耗。 我们经常看MOS 管的PDF 参数，MOS 管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用 来说，RDS(ON)也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动) 电压VGS 以及流经 开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS 管 很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS 管数据手册规定了热阻抗参数， 其定义为MOS 管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。 其发热情况有： 1.电路设计的问题，就是让MOS 管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MO S 管发热的一个原因。如果N-MOS 做开关，G 级电压要比电源高几V ，才能完全导通，P-MOS 则相 反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I 也增大，损 耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。 2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS 管上的损耗增大了，所以发热也加 大了。 3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS 管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。 所以ID 小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。 4.MOS 管的选型有误，对功率判断有误，MOS 管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。