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基于ZnOSi结构的声表面波器件设计研究.pdf
第35卷第1期 压电与声光 VoL35No．1
2013年02B PIEZOELECTRICSACOUSTOOPTICS
Feb．2013
文章编号：1004—2474(2013)01—0001—03
基于ZnO／Si结构的声表面波器件设计研究
何兴理，周 剑，金 浩，董树荣，王德苗
(浙江大学信息与电子工程学系，浙江杭州310027)
摘要：微机电系统(MEMS)I艺已被广泛用于制造各种硅基薄膜器件。声表面波(SAW)器件是性能优良的
MEMS器件。该文利用多物理耦合场软件COMSOL
并得到其s，，参数。对应于仿真，该文制造了该种结构的SAW器件。实验所用的ZnO通过射频磁控溅射制备，所
制备的ZnO具有良好的(002)取向。实验测得的ZnO／Si结构SAW器件的中心频率为111．6MHz，与仿真结构接
近。
关键词：微机电系统(MEMS)；声表面波；COMSOL；氧化锌／硅
中图分类号：TN384 文献标识码：A
onSAWDevicesBasedon Structure
DesignStudy ZnO／Si
HE Hao，DONG Demiao
Xingli，ZHOUJian，JIN Shurong，WANG
InfoScienceElectronics
(Dept．of Engineering，Zhejiang 310027。China)
University，Hangzhou
hasbeen usedtomanufacturea of
Abstract：MEMS silicon-basedthinfilmdevices．Sur—
process widely variety
face
acousticwave(SAW)deviceisakindofMEMSdeviceswithexcellent this
properties．Inpaper．TheZnO／Si
basedSAWdevicesweresimulatedCOMSOL andthe were
S1l to
by Muhiphysics parametersobtained．According
thesimulation manufacturedthe basedSAWdevices．Zn0thinfilmwith
results，we ZnO／si
was radio basedSAWdevicewithcenter of
depositedby frequency(RF)一magnetron-sputtered．TheZnO／Si frequency
11
1．6MHzhasbeenobtainedandtheresultisclosetOthatobtainedthesimulationstructure．
by
words：MEMS；s
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