沉淀法合成纳米CeO2晶粒生长动力学.pdfVIP

第34卷 第7期 稀有金属材料与工程 、，01．34，No．7 2005年 7月 RAREMETALh螂ERIAI，SANDENGⅡqEERⅢG July2005 沉淀法合成纳米Ce02的晶粒生长动力学 宋晓岚，邱冠周，曲 鹏，杨振华 (中南大学，湖南长沙410083) 下Ce02晶粒随焙烧时间延长而长大，且焙烧初期粒径增长较快，超过180min后增长速率变慢；700℃时Ce02晶粒生 5×104 长指数为5，即符合5次方动力学方程，晶粒生长速率常数为1．986 nm5／min：由于纳米尺寸效应，使得ce02晶 粒生长活化能在低温区和高温区不同，低于400℃时为25．64 的晶粒生长为扩散生长机制。 关键词：纳米Ce02；沉淀法；热处理；晶粒生长；动力学；活化能 中图法分类号：0614．33+2文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2005107．1085．