Geant4模拟中子在碳化硅中产生的位移损伤.pdf

第47卷第7期 原子能科学技术 V01．47，No．7 2013年7月 Atomic Scienceand Jul．2013 Energy Technology Geant4模拟中子在碳化硅中产生的位移损伤 郭达禧，贺朝会，臧 航，席建琦，马 梨，杨 涛，张鹏 (西安交通大学核科学与技术学院，陕西西安710049) 摘要：利用Geant4模拟了中子在碳化硅中的输运过程，计算了不同能量中子产生的位移缺陷数目，获得 了14．1 MeV中子产生的位移缺陷分布。研究了中子产生位移损伤过程的影响要素，分析了弹性散射 与去弹过程对位移损伤产生过程的贡献，并对中子各阶段反应产生的位移缺陷分布及对总体缺陷分布 的影响进行了探讨。 关键词：中子；碳化硅；位移损伤；Geant4 中图分类号：TL341 文献标志码iA 文章编号：1000—6931(2013)07—1222—07 doi：10．7538／yzk．2013．47．07．1222 Geant4SimulationofNeutron inSiC DisplacementDamage GUODa—xi，HEChao—hui，ZANG Li，YANGTao，ZHANG Hang，XIJian—qi，MA Peng NuclearScienceand (School 710049，China) of Technology，xi’anJiaotongUniversity，xi’an ofneutroninSiCwassimulatedwiththeGeant4．Thenumber Abstract：The transport of induceddifferentneutronswascalculatedandthe displacementdamage by energy of of14．1 was factors displacementdamage MeVneutronobtained．The ，distribution that the of werestudied，andthecontributions impactproduction displacementdamage ofelastic andnon—elastic todefect were analyzed．The scattering process production the damage inducedneutronreactionofeach wasobtained，and profile by stage influencesonthedistributionoftotal werefurt