CNGS和CTGS晶体电子结构及成键特性的第一性原理研究.pdf

39卷第5期 人 工 晶 体 学 报 v01．39N0．5 垫!Q生!Q旦 !Q堕曼丛垒生QE璺兰!旦里垦里垦垦垦!塑垒坠 ：：．．旦!!!堡!!垫!Q CNGS和CTGS晶体电子结构及 成键特性的第一性原理研究 杨 虹1，黄文奇1，卢贵武2，于肇贤1 (1．北京信息科技大学理学院，北京100085；2．中国石油大学(北京)数理系，北京102249) 摘要：采用基于密度泛函的第一性原理平面波赝势法对CNGS和CTGS基态的几何结构、电子结构和成键特性进行 了系统的研究；利用精确计算的能带结构、态密度和所绘制的电荷密度等值线分析了晶体中各元素对总态密度的 贡献和杂化特性和晶体中各阳离子的成键强度和特点；排列出各键的强弱顺序并指出c位(Ga-O键)、B位(X—O 键)和D位(Si．O键)是晶体压电特性的主要来源；计算了其折射率，并与实验数据进行了比较，计算误差小于9％。 关键词：CNGS；CTGS；电子结构；成键特性；第一性原理 中图分类号：TN304．2 文献标识码：A The StudiesontheElectronicStructureand First-principle ofCNGSandCTGS Characteristic Bonding Crystals YANG Zhao—xianl Hon91，HUANGWen．qil，LUGui—WU2，YU of Scienceand (1．FacultyScience，BeijingInformationTechnologyUniversity，Beijin9100085，China； ofMathematicsand of 102249，China) 2．Department Physics，ChinaUniversityPetroleum(Bejing)，Beijing 1 1 18 (ReceivedJune 2010) 2010，acceptedJuly Abstract：The calculationsbased the functionaland first-principles upondensity theorypseudopotential methodWasusedto the structureand characteristicsof studygeometricparameters，electronicbonding 7 for of betweenatomsand CNGSandCTGS．Theelementscontributiontotal densitystate，hybridization of band ofCNGSandCTGSare interm