NaN3处理条件下西瓜直接再生试验体系研究.pdfVIP

衣函盖秉(学术版) JOURNALOFCHANGJIANGVEG￡可ABLES DOhlO．38650．issn．1001-3547(x)．2009．06．004 NaN3处理条件下西瓜直接再生试验体系研究 杨国志，张明方2顾掌根1缑艳霞3 (1．浙江嘉兴市农科院，314016；2．浙江大学园艺系；3．呼和浩特职业技术学院) 摘要以西瓜纯种自交系伊选为材料，研究了化学诱变荆NaN3对西瓜直接再生试验体系的影响。研究发现，随着 叠氮化钠浓度的升高。显著的延迟了种子萌发、胚根发生、子叶开展、不定芽分化、伸长以及生根的时间，降低了芽分 h为最佳的诱变处理，使外植体再生频率降 化频率和每个外植体分化的不定芽数。i．5mmol／L的NaN，振荡处理1．5 低到40．O％，不定芽数／外植体降低到4．3，符合抗冷突变体半致死剂量的要求。 关键词 化学诱变 NaN3不定芽分化半致死荆量 利用化学诱变剂．能诱导无性系的高频率变 0．1m玑IAA，芽伸长培养基：MS+0．1mgft,KT；生 mol／L 根培养基：MS+0．1 NAA。上述培养基均用l 异，通过一定的选择压力。可以筛选到一些有益的 m努fIJ 突变性状和性状优良的突变体。本试验以西瓜自交 20 系纯种伊选为材料．采用化学诱变和植物组织培养 mintll。 相结合的方法。诱导和筛选西瓜抗冷突变体，建立 1．2试验处理 在化学诱变剂处理条件下的西瓜直接再生试验体 NaN，浓度用0．1mol／L，pH值3．O的磷酸缓冲 系．确定西瓜子叶生长、不定芽分化的最佳诱变浓 液配制NaN，溶液，过滤灭菌，设4个诱变浓度处理 度以及最适培养条件，确定抗冷突变体的半致死剂 分别为0．5。1．0，1．5，2．0mmo]JL。以磷酸缓冲液 量；并对种子的发芽率、分化的不定芽数等进行统 (CK2：0．1mol／L磷酸缓冲液处理种子1．5h)和不加 计和形态观察。为以后化学诱变剂存在条件下的西 磷酸缓冲液与叠氮化钠(CK。：没有做任何处理)处 瓜体细胞无性系变异、基因转化和突变体后代遗传 理为对照。 鉴定分析等方面的研究提供参考。 1．3试验方法 ①将成熟、饱满一致的伊选种子在30℃的蒸馏 l材料与方法 水中浸泡5～6h，小心去壳后浸入10％次氯酸钠溶 1．1试验材料 液中，置摇床上振荡消毒10min。用无菌水冲洗消 试验所选用的材料为优质自交系纯种伊选 毒后的种子3～4次。然后将其接种到发芽培养基 (‘YiXuan’YX埘)，以子叶刚刚展开的无菌苗的 上。先在黑暗条件下28℃培养箱内培养，待90％以 下胚轴与子叶之间再生能力强的部位作外植体。用 上种子胚根露出0．5～3mm以后，将其转移到25℃， 来分化不定芽。 35～40 培养基及培养条件为发芽培养基：MS+20g，L 至子叶展开．用于分化不定芽。 蔗糖+7 BA+