InAsGaAs量子点激光器的增益和线宽展宽因子.pdf

第36卷第5期 发 光 学 报 V01．36No．5 2015年5月 CHINESE OFLUMINESCENCE JOURNAL May，2015 文章编号：1000_7032(2015)05_0567旬5 IIAs／GaAs量子点激光器的增益和线宽展宽因子 许海鑫1，王海龙h，严进一2，汪洋2，曹春芳2，龚 谦2 (1．山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系，山东曲阜273165； 2．中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050) 摘要：利用气源分子束外延技术生长InAs／GaAs量子点激光器材料，制作了由5层量子点组成的500“m腔 长的激光器。首次使用增益拟合和波长加权的方法计算了激光器的线宽展宽因子。其中，增益拟合是对 Hakki·Paoli方法计算增益的重要补充，对判断不同电流下的增益是否饱和具有重要作用。对最大模式增益求 导数，当电流为50mA时，差分增益最大值为1．33cm“／mA，然后迅速减小到0．34cm“／mA，此时电流为57 mA(一0．99气)。第一次使用加权波长来计算中心波长的移动，发现△A慢慢减小直至接近于0。整个计算 方法避免了在直接选取数据点时造成的误差，线宽展宽因子计算值为O．12—2．75。 关键词：激光器增益；差分增益；波长移动；线宽展宽因子 中图分类号：TN248．4 文献标识码：A DOI：10．3788／fgxb2叭53605．0567 GainandLine、订dthEnhancementFactorof IIIAs／GaAs Laser Diodes Quant删m-dot XUHai—xin 1，WANGHai—lon91．，YANJin．yi2，WANGYan92， CAO Chun—fan92，GONGQian2 Pok出口f幻n (1．鼽n，M幻凡g胁Ji眦缸f研k60胁可矿￡珊ern甜蜘删如n‰^咖， ￡枷玎m删矿雕弘虹，Q咖舳丌舱f‰油船毋，Q咖273165，矾i眦； 2．＆n把研如60m幻，y o，凡船如眦f肘血把砌b加r，咖mm￡如，鼽nn曲西风￡如眦e矿舰ro啪￡emⅡ蒯 抚加几m如n‰^加fq盯，矾i心eA∞如，Ⅳ旷scl!enc酷，跣。，b咖缸200050，蕊i船) {(b唧。础噌AⅡfbr，E-mn以：^伽d凡g@mⅡ正咖u．e扎cn laserdiode5 Abstract：A with ofInAs dotwasfabricated．The 500一“m—longcavity layers quantum 1asermaterialswere molecularbeam For first the line诵dth gmwnbygas—source epitaxy． time，the enhancementfactorwas and