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V5+取代对Mg4(SbNb1-xVx)O9陶瓷介电性能的影响.pdf
第23卷第5期 无机材料学报 V01.23,No.5
of
Journal Materials
2008年9月 Inorganic Sep.,2008
文章编号:1000-324X(2008)05—0877-04
姚国光1,刘鹏2
波介电性能.结果表明:一定量V5+取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度.在所有组成范围内,XRD显示了
单一刚玉型结构.随V5+含量的增加,样品的介电常数£和品质因数Q·,先增大后减小,样品的谐振频率温
Q·f=20248GHz(8GHz),-rf=一23.3x10~·K.1的新型微波介质陶瓷.
关键词:微波介质陶瓷;M94(SbNbl一。V。)09;介电性能
文献标识码:A
中图分类号:TQl74
ontheDielectric of
EffectsofV5+Substitution Properties
Ceramics
YAO
Guo-Guan91.LIUPen92
of Mathematicsand InstituteofPostsand
(1.DepartmentApplied Physics,Xi’all
of andInformation Normal
710021,China;2.CollegePhysics Technology,ShaanxiUniversity,Xi’an710062,
China)
Abstract:TheeffectsofV5+substitutiononthe characters.microstructureandmicrowave
sintering
dielectric of ceramicswere showthatasmall
propertiesM94(SbNbl—zVz)09investigated.Results
amountof forNb5+canlowerthe of dras-
V5+substitution sinteringtemperatureM94(Nb2一zSbz)09
all sinteredceramicsshow withcorundum
tically.Incompositionrangeinvestigated,the singlephase
structure.Withof dielectric
V5+content,the
increasing constant(s)andqualityfactor(Q·,)increase
andthereafter coefficientofresonant
temperature
decrease,respectively,the
with
whichisduetothe Bsite-bondvalencecausedV5+substitution.Theceramics
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