V5+取代对Mg4(SbNb1-xVx)O9陶瓷介电性能的影响.pdfVIP

V5+取代对Mg4(SbNb1-xVx)O9陶瓷介电性能的影响.pdf

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V5+取代对Mg4(SbNb1-xVx)O9陶瓷介电性能的影响.pdf

第23卷第5期 无机材料学报 V01.23,No.5 of Journal Materials 2008年9月 Inorganic Sep.,2008 文章编号:1000-324X(2008)05—0877-04 姚国光1,刘鹏2 波介电性能.结果表明:一定量V5+取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度.在所有组成范围内,XRD显示了 单一刚玉型结构.随V5+含量的增加,样品的介电常数£和品质因数Q·,先增大后减小,样品的谐振频率温 Q·f=20248GHz(8GHz),-rf=一23.3x10~·K.1的新型微波介质陶瓷. 关键词:微波介质陶瓷;M94(SbNbl一。V。)09;介电性能 文献标识码:A 中图分类号:TQl74 ontheDielectric of EffectsofV5+Substitution Properties Ceramics YAO Guo-Guan91.LIUPen92 of Mathematicsand InstituteofPostsand (1.DepartmentApplied Physics,Xi’all of andInformation Normal 710021,China;2.CollegePhysics Technology,ShaanxiUniversity,Xi’an710062, China) Abstract:TheeffectsofV5+substitutiononthe characters.microstructureandmicrowave sintering dielectric of ceramicswere showthatasmall propertiesM94(SbNbl—zVz)09investigated.Results amountof forNb5+canlowerthe of dras- V5+substitution sinteringtemperatureM94(Nb2一zSbz)09 all sinteredceramicsshow withcorundum tically.Incompositionrangeinvestigated,the singlephase structure.Withof dielectric V5+content,the increasing constant(s)andqualityfactor(Q·,)increase andthereafter coefficientofresonant temperature decrease,respectively,the with whichisduetothe Bsite-bondvalencecausedV5+substitution.Theceramics

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