NiTi合金的电子结构及缺陷作用的符合正电子湮没研究.pdfVIP

第36卷 第6期 稀有金属材料与工程 、，01．36．No．6 2007年 6月 RAREMETAL～L她RIAI，SANDENGINEERING June2007 NiTi合金的电子结构及缺陷作用 的符合正电子湮没研究 胡益丰1，一，邓 文2，陈真英2 (1．江苏技术师范学院，江苏常州213001) (2．广西大学，广西南宁530004) 宽谱，计算了N汀i合金的形参数。结果表明，当Ni原子和Ti原子形成N汀i合金时，两原子中均有部分3d电子被局 域化并形成共价键，导致合金基体中参与形成金属键的自由电子减少。在N汀i合金中金属键和共价键同时存在。成分 为Ni．49at％Ti合金的形参数最高，表明该成分的合金中所含的缺陷数量最少，这可能是该成分合金形状记忆效应较好 的原因。 关键词：NiTi合金；Doppler展宽谱；形参数；微观缺陷 146 中图法分类号：TG 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2007)06—04一0985 近等原子比的NiTi合金由于具有良好的形状记信息。本实验采用双探头符合系统，使脉冲高度多道 忆效应、超弹性、抗腐蚀性和生物相容性，被广泛应 分析器(MCA)只记录那些为正负电子湮没事件产生 用于航空航天和生物医学等领域，已经成为应用最多、 的y光子的信号，这样，可大幅度降低谱线的本底， 最有成效的一种记忆合金[1~31。在降低温度或应力诱使谱线的峰高与本底之比高于104，从而可用于研究具 变下，NiTi合金将发生马氏体转变，晶体结构由CsCl (B2)型转变为单斜畸变的曰19’型，当温度升高时，又宽谱对过渡族金属中3d电子态的变化特别敏感[9，10]。 能回到母相的结构，从而表现出形状记忆效应。 近年来，很多研究者[11，12]利用此项核心技术研究了半 合金中的电子结构状态和微观缺陷是决定其物理 导体或半导体化合物中的微观缺陷和电子结构，取得 性能的深层次因素[41。Mehta等【5j的研究认为在NiTi了一般实验手段难以获得的重要结果。 合金的相转变过程中必然伴随着电子的转移，且尺相 本文用双探头符合系统测量了单晶半导体si、单 晶Ni、多晶Ti以及钛含量从48．5at％～5lat％的5种成 的电子结构要比B2相稳定。wang[6】研究认为在N汀i 形状记忆合金中，如果不考虑杂化轨道，则s轨道电 子倾向于形成金属键，而d轨道电子倾向于形成共价 作用行为，同时分析了不同化学成分的NiTi合金中的 键。zheng等[7】研究了适度冷拔后的NiTi合金，发现 在加载和卸载过程中其线性超弹性的产生与内部 缺陷及其对形状记忆效应的影响。 (001)微孪晶的出现和消亡有关。目前，虽然已有许 1 实验方法 多不同方法对NiTi合金进行研究，但是运用实验手段 研究NiTi合金中的电子结构和微观缺陷的影响方面 的报道较少。 原料，按表1所示的化学成分配制成5种成分不同的 正电子(e+)湮没技术是研究晶体缺陷和电子结 空白耗电弧炉进行1次熔炼，再用真空感应炉进行2 构的重要实验手段[8】。正电子湮没辐射Doppler展宽谱 次熔炼。合金铸锭在真空炉中作温度为973K，时间 可以提供湮没电子的动量分布信息，通过分析Doppler 展宽谱的高能端曲线，可以获得原子内层电子状态的 为4h的均匀化热处理，后淬入水中。随后将其热煅