奈米钛聚合物镀膜的阻湿性探讨.pdfVIP

第4卷增刊 过程工程学报 VoI．4 suppl． JoumaI 2004年8月1rt地Chill髓eofPmc髓s Engin∞ring Aug．2004 奈米钛聚合物镀膜的阻湿性探讨 李怡增1，何主亮1，昊冠鼎1，刘怡萱2，林国森2，张忠杰3 摘要：湿气是影响有机发光二极管(O唱锄icLight．-EmittingDiode；OLED)显示器寿命的主要因素， 这起因子oLED阴电极处产生电化学反应而造成暗点现象．目前业界正积极寻找适当的封装材料 及方法，考量0LED封装材料的几项重点为阻湿性及疏水性佳、界面应力小、低温制程条件、良 好的绕镀性及填洞能力、稳定的热机械性质及低成本．近来防蚀领域中发现，所谓的奈米钛粉聚合 物涂料乃因奈米钛粉体表面高度的活性所致，使钛与环氧树酯之间形成“娟∞—C一”之共价键结 链而使原材料之致密性增加，而钛粉体在奈米化之后也减少了微孔洞效应，所以奈米钛聚合物所 制成的涂料具有相当良好的抗腐蚀性．本研究旨在研究探讨奈米钛聚合物之阻湿效能及其微观结 构，并经由抽真空及多层涂布等方式改善镀膜之阻湿特性．由水气渗透率实验结果及FTIR分析结 果显示，A。B剂之调制仍以厂商建议之5：1为最佳，不但阻湿性佳且具柔软性，故适合用于OLED 之封装材料．此外奈米钛聚合物中可能的添加剂不明效应或钛团聚之颗粒导致自由体积的存在，需 以增加镀膜厚度或利用多层镀膜方式来增加水气之扩散路径以提升阻湿效能．有效的抽真空条件 亦可改善提升阻湿效能．由FTIR分析得知，该材料对湿气之反应相当稳定，但对温度之影响则相 当敏感． 1前言 OLED的亮度衰减乃源自于暗点的产生及成长，而暗点生成的主要原因分别有四项因素：有 机发光层或电洞传输层材料之结晶化、在有机层与阴极电极金属间产生电化学反应、各种形式的 离子迁移及阴极电极金属层氧化或脱层【1．3】．其中又以第四项因素之影响最大，Scha01】在研究中证 明水气与阴电极产生电化学反应并使阴电极与有机层之间产生脱层或气泡，故而造成OLED暗点 的产生，再者，当水气渗入阴极后，经氧化还原作用产生氢气，该氢气之压力驱使阴极金属层与 有机层产生脱层或形成气泡之现象． 目前显示产业常用的阻水技术及其缺点有下列几项： stcel (1)使用玻璃盖或不锈钢盖(S组i11lessc孤)做保护层，再用UV胶封边，其缺点是氧气或湿 气仍易从封胶处渗入，并且组件无法挠曲． (2)利用电浆辅助化学气相沉积或溅镀沉积方式成长氮化硅(Si№或铝氧等单层之保护层，其 缺点是此镀膜与有机组件层之界面应力过大，且其成长速率过低． ．(3)使用气相聚合沉积先成长高分子层当应力抵销层然后在成长较致密之无机保护层【4】，其缺 点乃需两道制程，不符经济效益． (4)使用涂布高分子防水层，其缺点仍是阻湿及阻气性不佳． 上述可能的发展中，第四项是低成本的制程，唯在环氧树酯分予链上的极性键(OH，C—O， 卜卜-H及㈨)易与极性水分子结合而产生氢键，因而导致高分子链产生水解作用：水分子被高分 子所吸附后无法再被脱附，且会造成高分子材料体积之膨胀、玻璃转换温度下降、热膨胀系数变 大、模数下降及黏着强度变低等材料特性的改变【5．6】．一般阻湿之高分子材料中，大多利用如二氧 万方数据万方数据 230 过程工程学报 第4卷 化硅等不吸水材料当填充剂(fill砷来提高阻湿效果，其填充剂与聚合物链间为一般之物理性键结或 vol啪e)，而使材料因致密性不佳而降低阻湿阻气之效能．然而近日文献报导所谓的奈米钛粉聚合 物因粉体表面高度的活性所致，使奈米钛粉与环氧树酯之间的键结并非一般的物理性键结或形成 凡德瓦键，而是形成含共价键之“—艟—D—C一”键结链，因共价键含较高之键