半导体制造工艺期中复习要点.pptVIP

集成电路制造工艺 期中复习要点 超净加工车间等级划分、各净化等级适用范围；p24 超净加工车间制备方式；p25 超纯水制备方式； 1.电去离子（EDI）法 2.反渗透法 3.离子交换 薄膜制备 二氧化硅膜用途；p59 二氧化硅膜的制备方式（氧化法、热分解法、氢氧合成法）； 采用不同方式制备氧化膜的质量区别； 掺氯氧化的作用； 影响氧化速度的因素（浓度、温度、分压、氧化气氛）； 氧化系统（设备）组成； 氧化膜质量控制（膜厚测量、缺陷检测）； 比色法测量氧化膜厚度的测试原理及过程； 半导体制造中对薄膜的质量要求（台阶覆盖、高深宽比填隙能力、厚度均匀性、高纯度和高密度）； 外延的概念、目的； 气相外延制备硅外延层原理及过程； 原位气相腐蚀抛光目的及过程； 影响外延生长速度因素（浓度、分压、温度、气体流速、反应腔形状）； 自掺杂产生的原因及消除措施； 由于热蒸发或者化学发应的副产物对衬底的腐蚀，使衬底中的硅和杂质进入气相，改变了气相中的掺杂成分和浓度，从而导致了外延层中的杂质实际分布偏离理想情况，这种现象称为自掺杂效应。 Si3N4膜、多晶硅膜、金属铝膜等常用微电子用膜CVD方式淀积原材料及淀积原理； CVD的分类（按压强分）； 等离子体化学气相淀积原理及其优势； 二氧化硅膜中添加P和B的原因； 硅化钨的CVD淀积原理； 电子束蒸发的优势（与热丝蒸发相比较）； 溅射的概念； 辉光放电的原理； 溅射工艺制备金属铝膜的原理及过程（铝源的清洁处理）； 溅射的优势（与蒸发相比较）； Cu未在微电子工艺中用于金属互联线的原因； 光刻与腐蚀 VLSI对光刻工艺的要求； 正胶、负胶的特点； 光刻胶的主要组成成分； 金属掩膜版的主要材料； 电子束制版工艺（光刻七大工艺步骤）； 光学曝光的方式及各自优缺点； VLSI对图形转换的要求； 选择比的概念； 湿法刻蚀的概念； 常用微电子薄膜的湿法刻蚀过程（腐蚀液的选择）； 湿法刻蚀的优缺点； 干法刻蚀的概念； 常用微电子薄膜的干法刻蚀过程（腐蚀气体的选择）； 湿法刻蚀、干法刻蚀的比较； 常用去胶方式；