激光光刻技术的研究与发展.pdfVIP

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2015-09-07 发布于湖北
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激光光刻技术的研究与发展.pdf

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第4l卷第5期红外与激光工程 2012年5月 Vol4lNo．5 InfraredandLaser Mav．2012 Engineering 激光光刻技术的研究与发展邓常猛-一，耿永友·。吴谊群u (1．中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室，上海201800； 2．中国科学院研究生院．北京100049； 3．功能无机材料化学省部共建教育部重点实验室(黑龙江大学)，黑龙江哈尔滨150080) 摘要：光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展，集成电路的特征尺寸越来越小，光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术，包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状，着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展，特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。关键词：投影式光刻；无掩膜光刻；发展趋势中图分类号：TN305．7文献标志码：A 文章编号：l007—2276(2012)05—1223—09 of Research laser developmentlithographytechnology DengChangmen91一，GengYongyoul。WuYiqunl，3 ofMastiffScienceand for Power Instituteof and Laboratory (1．Key TechnologyHigh Lasers，ShanghaiOptics Fine of oftheChinese Mechanics，Chinese 201800，China；2．Graduate AcademySciences，Shanghai University Academy of ofFunctional Material Sden∞s．Beijing100049．China；3．KeyLabormofy Inorganic Chemistry(HeilongjiangUniversity)， ofEducation，Harbin Ministry 150080，China) oneofthe inthemanufactureofsemiconductor Abstract：Lithographytechnology，as keytechnologies all roleinthe ofsemiconductor thecfificfl devices，has important indus时．As played development dimensionof circmtisdecreasedtosmallerand willfacenew technology