采用负反馈结构设计的高性能MOS开关.pdfVIP

山西电子技术 应用实践 加15年第1期 文章编号t1674．4578(2015)01—0005—02 采用负反馈结构设计的高性能MOS开关 稗 高 (山西经济管理干部学院，山西太原030024) 摘要：采样保持电路是高速高精度模／数转换器的重要组成部分。采样保持电路中的MOS开关的性能会影 响到整个系统的信噪比(SNR)和信号噪声及失真比(SNDR)等各项指标。本文设计的负反馈结构，实现了MOS开关 的导通电阻和输入信号无关，同时还采用了电容充放电技术，极大程度上减小了开关在采样过程中对信号的影响。 关键词：采样保持电路；负反馈结构；MOS开关 中图分类号：TN432文献标识码：A 近年来，随着超大规模集成电路的发展，片上系统 求开关电容电路结构中，这种开关依然无法满足要求。 (SOC)已成为芯片技术发展的一个主流方向。片上系统中 的重要模块，模／数转换器(ADC)在结构设计、制做工艺、性 能指标上都有了巨大的进步，正在朝着低压、低功耗、高速和 高精度的方向发展。而ADC电路中的一个重要组成部分是 采样保持电路，在采样保持电路结构中使用了大量的MOS 开关，MOS开关的线性度、稳定性、速度都将直接影响到 图1 NMOS，PMOS。CMOS结构及导通电阻随栅源电压的变化特性 ADC系统的各项指标。 在如今的深亚微米低压(如1．8V及以下电源电压)工 MOS开关的信号采样过程对信号的信噪比(SNR)和信 艺条件下，出于对电源电压波动的考虑(而MOS管阈值电压 号噪声及失真比(SNDR)有至关重要的影响。传统结构的 随特征尺寸的减小变化不大)，同时为得到较高保真的信号， MOS开关存在导通电阻非线性、限制输入信号幅度、芯片占 所以在采样系统中，常采用栅压自举及时钟倍增技术来实现 用面积大等问题。 MOS开关…。图2中即为这种开关结构的简单示意图。 本设计采用负反馈电路结构，用来稳定采样周期内 MOS开关的栅源电压，以保证开关导通电阻和输入信号无 关，同时还采用了电容充放电技术以提高采样周期内MOS 开关栅极电压，实现MOS开关栅压的自举。通过对MOS开 关结构及性能的一系列改进，很大程度上减小了开关在采样 过程中对信号的影响。 1现有技术分析 MOS器件在作为开关的使用过程中，常工作于截止(关 围2栅压自举及时钟倍增技术以提高MOS开关导通电阻的线性度 断)以及三极管区域(开启)，在信号的采样过程中，因MOS 管导通电阻随输入信号变化而产生的非线性因素是导致采 Io共同构成电荷泵结构，产生对晶体管M3的栅极时钟控制 样信号具有较大失真度的主要原因。MOS开关管导通电阻 lF 信号；电容c1通过开关M4和主开关管MS栅极连接，并通 阻值为：r。=1／g出，其中g出=UnCox手(％一％)。所以，从 b 过开关M1和开关MS源极相接，使得输入信号在被采样的 此式子中可以得到MOS开关的导通电阻和输入信号有关。 过程中主开关MS栅源电压保持不变，从而保证了开关MS 通常情况下，如果对MOS开关的线性度要求不高，可以 的导通电阻和输入信号无关；而M7，M8构成反相器结构。 采用单个的NMOS或单个的PMOS来作为MOS开关，但这 种开关具有较为严重的电阻非线性问题，其导通电阻随输入 结构以及相应的时钟控制信号如下图3所示。 信号的变化而变化；