核苷酸的电解致酸脱保护研究.pdfVIP

维普资讯 第 18卷第7期 2004年 7月 化工时刊 VoI．18，No．7 ChemicalIndustryTimes JuI．7．2004 核苷酸的电解致酸脱保护研究 周安存 (湖南 中医药高等专科学校 ，湖南株洲 412000) 摘要 对电致酸脱保护寡核苷酸原位合成体系的溶液性质进行了研究．确定 了电解致酸脱保护体系的优化溶液组 成 ，发现选择弱酸 HW、电解 电位 2v和0．1mol／L高氯酸四乙基胺可获得理想 的实验结果。 关键词 核苷酸 电解 脱保护 Investigation ontheDeprotection ofNucleicAcidwithAcidbyElectrolysis ZhouAncun (CollegeofHunanTraditionalChineseMedicine，HunanZhuzhou412000) Abstract Thepropertiesofthe solution，in which oligonucleotidescouldbe in situ synthesizedby depretecting monomerswithacidgeneratedbyelectrolysis．wasinvestigated．ThecompositionofthesolutionWas optimized．ItWas f0und thatweakacidHW andaconcentrationof0．1mol／Lelectrolyte(C2H5)4NC104showedthebestexperimentalresultsat electrolysispotentialof0．2V ． Keywords nucleicAcid electrolysis depretection 基因芯片制备技术可分为点样法和原位合成法。 作了新的尝试 ，提出了微流体 自驱动活版印刷原位合 所谓点样法 ，即运用各种方法(打印、喷印、点样)将预 成法、电致酸脱保护法等新方法_l8 0J其 中电解致酸 先合成的DNA探针或 cDNA探针固定到玻片或其它 脱保护 DNA在片合成方法 ，通过在核酸单体乙腈溶 固体载片上形成微探针阵列。原位合成则是按照预 液中加入具有合适的解离常数的物质，替代常规酸脱 先设计的碱基序列直接将探针合成在基片上。点样 保护法 中的三氯乙酸 ，电解后产生氢离子脱除 DMT 法适合于低密度基因芯片的制备，当探针数 目较多 保护基团，进而实现电助 DNA在片合成。所谓合适 时，这一技术无法与原位合成技术相比拟。为了高通 的解离常数，即电解前其在乙腈溶液中的酸性不足以 量地获取生物信息，利用高度 自动化技术平台批量化 使核酸单体上的DMT保护基 团脱除下来 ，经过电解 制备基因芯片是重要的发展趋势。目前在国际上，已 后该物质在阳极产生氢离子 ，氢离子富集达到一定浓 经开发了多种 DNA阵列原位合成技术_ll j，但仅美 度后即能使核酸单体上的DMT保护基团脱除下来。 国Affymetrix公司拥有的光脱保护原位合成制备专利 本文针对电致酸脱保护法体系的溶液性质进行 了深 技术已有规模化的基因芯片生产线为需求者提供商 入研究，选择弱酸 HW 获得了较好的效果。 业芯片，其特有的光脱保护方法需要制作一系列特定 Ⅱ 塞 验 的光掩模 ，并且对不同的用户需求和不同的基因芯片 必须重新设计光掩模 ，成本高，不适合小批量需求。