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氧化物异质外延薄膜生长的计算机模拟及其在铁电薄膜制备中的应用
% 220 % 2007 5 21
*
王志育, 焦岗成, 樊慧庆
( , 7 10072)
讲述原子层沉积技术原理与特点的同时, 进一步论述了它 沉积机理和实验真空度这两方面与传统薄
膜沉积工艺的异同; 综述了此技术 铁电薄膜制备研究方面的最新进展, 前驱体的制备与选择薄膜缺陷的控制以及
表面化学反应动力学依然是当前原子层制备铁电薄膜研究的重点; 最后展望了原子层沉积技术制备铁电薄膜的发展
方向
Princi ple and Appli cation of Ferroelectric Films by Atomic Layer Deposition
WA N G Zhiyu, JIA O Gangcheng, F A N H uiqing
( S a e K ey L abo ra o ry of Solidif ica io n Pro cessing , Scho ol of M a er ials Science and Eng ineering,
No r hw es er n Poly echnical U niver si y , Xi an 710072)
Abstract T he pr inciple of a o mic lay er deposi ion echnique ( A LD) comparing w i h co nv en ional f ilm deposi
ion processes, especially in v acuum o rigina ed and deposi ion mechanism , are discu ssed . T hen , he recen pro gr ess in
f err oelec r ic f ilm s prepared by A L D is rev iew ed , and co nsequen ial issues me in he r esear ch, such as me al precur sor,
def ec and kine ics o f surf ace chemical reac io n are also discu ssed. F inally, he ou lo ok o f sy n hesizing f err oelec r ic f ilm s
by A LD is pr edic ed .
Key words a o mic la yer depo si io n, f err oelec r ic f ilm , principle and applica ion
,
0 [ 6]
,
( A omic L ay er Depo si ion) ,
, ( A o mic L ayer Epi ax y ) ; ; , ,
[ 3]
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Al O , Sun o la T A n so n M J : ( : N 2 )
2 3
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