氮化硅刻蚀工艺的研究.pdfVIP

维普资讯 团jl0， f01兰 衰 d——___一：．制造重与工蔓艺：． 氮化硅刻蚀工艺的研究 趋 水林 (上海先进半导体制造股份有限公司，上海，200233) 摘 要：对氮化硅阻挡层或ARC层的去除通常使用在高温磷酸溶液 中选择性氮化硅刻蚀 。简要 地阐述氮化硅刻蚀的工艺特性 ，及对氮化硅 刻蚀后氧化硅厚度的控制提 出一点见解。 关键词 ：氮化硅剥离，刻蚀速度 ，磷酸 中图分类号：TN305 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004-4507(2004)06-0063-04 TheStudyofNitrideStripProcessCharacterization JerryZhao (AdvancedSemiconductorManufacturingCorporationLimited，Shang200233，China) Abstract：SelectiveSiliconnitrideetchinginphosphoricacidisroutinelyusedfortheremovalofnitride masklayersafterwellandactiveareaformationorARClayers． Th ispaperbrieflyoverview theeharae- teristicofnitridestripprocess，andprovidetherecommendationforbetteroxidethicknesscontrolafterni- tlidestrip． Keywords：NitrideStrip；EtchRate；PhosphoricAcid 1 Introduction 12H2O+Si3N4+4HsPO4— 3Si(OH)4+4NH4H2PO4 2H2O+SiO2—Si(OH) Siliconnitride (Si3N4) canbeetchedbyreflux WaterhydrolyzestheSi3N4toform ammoniaand boiling85％ phosphoricacidataround160℃ inthe hydroussilica(Si(OH)4)．Theammoniaremainsinthe immersionwetbench． TheSi3N4layerisetchedata solutionintheofmr ofammonium phosphate．WateriS significantlyhigherratethanthesilicondioxide， typi— thecriticalpartintheetchingofSi3N4， constantwater cal etchselectivityare40：1dependingonthenitride contentinthesolutioniSvitaltokeeptheconstantni— film depositionconditionsandetchprocessconditions． tlideetchrate． Butwaterevaporatesveryquicklyat Etchingtakesplaceaccordingtothefollowingchemical high temperature， and theHsPO4solutionbecomes react；ons：