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电化学CV法测量化合物半导体载流子浓度的研究进展,半导体载流子浓度,半导体载流子,本征半导体载流子浓度,半导体霍尔效应载流子,半导体中的载流子,电化学cv曲线,电化学cv图,半导体光催化电化学,半导体电化学
微电子器件与技术
MicroelectronicDeviceTechnology
电化学C-V法测量化合物
半导体载流子浓度的研究进展
1 1 2
李晓云 ,牛萍娟 ,郭维廉
(天津工业大学 信息与通信工程学院,天津 ;
1. 300160
天津大学 电子信息学院,天津 )
2. 300072
摘要:电化学 ( )法是当前测量化合物半导体载流子浓度分布的非常重要的方法。从
C-V ECV
ECV法的原理、设备、电解液的选择以及测量精度的保证四个方面对ECV法进行了分析和总
结,对于不同材料电解液的选择提供了参考。
关键词:电化学C-V法;载流子浓度;电解液
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
TN304.07 A 1671-4776 2007 02-0106-05
ReviewofElectrochemicalCapacitance-Voltage
ProfilingofCompoundSemiconductor
1 1 2
, ,
LIXiao-yun NIUPing-juan GUOWei-lian
( , , , ;
1.SchoolofInformationandCommunication TianjinPolytechnicUniversity Tianjin300160 China
, , , )
2.SchoolofElectronicInformationEng.TianjinUniversity Tianjin300072 China
: ( )
Abstrack Electrochemicalcapacitance-voltageprofiler ECV isthemostconvenientmethodto
, ,
characterizethecarrierconcentrationofcompoundsemiconductor.Theprinciple instrument the
selectionofelectrolytesandtheaccuracyofECVprofilerwereconcluded.Theselectionofelec-
trolytesfordifferentmaterialswasdiscussed.
: ; ;
Keywords ECV concentrationofcarrier electrolytes
是它所能测量的最大的深度取决于发生电击穿时的
1 引 言
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