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磷吸杂工艺研究,铁水包脱磷工艺研究,磷化工艺,含磷废水处理工艺,磷酸一铵生产工艺,酸洗磷化工艺,磷化处理工艺,磷化废水处理工艺,磷酸生产工艺,磷肥生产工艺
第 卷 第 期
9 5 Vol.9No.5
年 月 名企产品推介 May.2007
2007 5
磷吸杂工艺研究
唐穗生
汕头华汕电子器件有限公司,广东 汕头
( 515041)
摘 要:磷吸杂在晶体管芯片制造过程中对改善芯片表面态、减少漏电流等起着重要作用。
文中确定了方块电阻为 (欧姆 方块)的磷吸杂工艺条件,并对过程的相关影响因素
6-8Ω/□ /
进行分析和探讨,同时提出了解决方法。
关键词:磷吸杂;晶体管;芯片制造;工艺
, 流量为 , 流量为 ,
引言 5l/min O 0.5l/min POCl 0.3l/min
0 2 3
源温 。那么,改变 、 的时间,所测试片上
5℃ t t
1 2
在晶体管芯片的制造过程中,由于原材料本 不同位置的方块电阻 结果如表 所列。
(R) 1
身及工艺操作等方面的影响,硅片表面往往存在
的少量碱金属离子 + +
、 将危害器件的性能。
(Na K)
为提高器件的稳定性和可靠性,常使用磷吸杂工
图 工艺过程示意图
1
艺将表面生长有二氧化硅薄膜的硅片,并用带三
表 试片上不同位置的方块电阻
1
氯氧磷和含少量氧的氮气对其表面进行适当处
t1 t R (Ω/□) R平均值
2
理,以形成一磷硅玻璃层,从而利用磷硅玻璃的
(min)(min) 上 中 下 左 右 (Ω/□)
吸附和固定钠、钾离子的作用把这些有害离子去 15 3.26 3.32 3.30 3.28 3.27 3.29
掉[1]
。通常可在一定温度条件下,让硅片置于磷气 12 10 3.50 3.57 3.55 3.53 3.52 3.53
氛中一段时间来达到上述目的。但在实际中,由 7 3.59 3.67 3.65 3.62 3.61 3.63
于使用温度高,监测设备误差
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