原创力文档- 1、本文档共7页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
用金属氧化物半导体场效应晶体管器件实现的高重复率电光调Q模块设计.pdf
第33卷第10期 中 国 激 光 V01．33，No．10
2006年lO月 CHINESE LASERS October，2006
JOURNALOF
05
文章编号：0258—7025(2006)10一1329
用金属氧化物半导体场效应晶体管器件
实现的高重复率电光调Q模块设计
韩永林，梁 伟，胡永宏。
(长春理工大学科技开发中心，吉林长春130022)
摘要随着激光器的发展，需要高重复率的电光调Q器件。提出了一种新型超快、高重复率的电光调Q技术，这种
技术采用V型槽的金属氧化物半导体场效应晶体管(VMoSFET)器件作为调Q模块的主功率开关，运用宽范围可
调的高压稳压电源和调Q触发信号整形电路，以及加压调Q和退压调Q的兼容电路。实验中得出：当调Q工作频率
为10kHz时，调Q电压幅度3～5kV任意可调，电压脉冲宽度小于5ns，触发抖动时间小于1弘s，且可以长期稳定工
作。该调Q模块已经用于激光二极管(LD)抽运的无水冷固体Nd：YAG激光器和连续Nd：YAG激光器中。
关键词应用光学；电光调Q；金属氧化物半导体场效应晶体管器件；高重复率
248．1’3 文献标识码A
中图分类号TN
of Rate Module
Q—Switched
DesignHighRepetitionElectr0-Optically
withVerticalMetaloxideSemiconductorFieldEffectTransistor
Component
HAN Wei，HU
Yong_lin，LIANGYong—hong
Sci8咒fe口规d
(Ce咒frP．厂orD8z圯Zopi九g Tec矗扎o￡ogy，(冼n729c^“咒L7扎iu已r5打yo，
Sci8以ce
n扎d了■c^挖oZogy，C^n咒gc^乱，z，JiZi竹130022，(冼i咒口)
with of
Abstract rate isneededthe laser．
Highrepetitionelectro—optically‘≯switchedcomponent developmentBy
novelultra and rate is
experiment，a quick highrepetitionelectr。一optically(≯switchedtechnologypresented．
semiconductorfieldeffecttransistor(VMOSFET)isasmain switchof
Verticalmetaloxide adopted power Q
stabilizedsourceand circuit as
switchedmodule． of(≯switc
文档评论（0）