电化学沉积高c轴取向ZnO薄膜及其光学性能分析.pdfVIP

第56卷第10期20(}7年10月 物理学报 V01．56．No 1000—329012007／56(10)／5979—07ACTAPHYSlCASINICA @2007Chin Phys$oc 电化学沉积高c轴取向ZnO薄膜 及其光学性能分析“ 谷建蜂付伟佳 刘 明 刘志文 马春雨 张庆瑜+ (大连理工大学=束材料改性国家重点实验室，大连116024) (2006年11月9日收到；2007年3月2H收到修改藕) 采用阴极还原方法，在透明导电玻璃(fro)上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜通过x射线衍射、扫描电子 显徽镜等表征技术，研究了沉积电流对ZnO薄膜的结构、应力状态及表面形貌的影响；利用光致荧光光谱及透射光 谱等分析方法，探|寸了沉积电流变化对ZnO薄膜的光学性能的影响研究结果显示：各沉积电流下均可制得高c轴 取向的ZnO薄膜；薄膜表面形貌受电流的影响较大；从透射潜可以看出，薄膜在可见光波段有较高莲射率，门薄膜 厚度随沉积电流的增大嘣增大．光致荧光测量表明，电化学沉积的ZnO薄膜具有明显的带隙展宽m且，随着沉积 电流的增加，带隙发光强度逐渐减弱，缺陷发光逐渐增强． 关键词：ZnO薄膜，电沉积，表面形貌，光学性能 PACC：6855，8280b1，7280E，7855 于电化学反应过程在生长条件控制、工艺稳定性控 1．引 言 制以及在线分析等方面存在一定的困难，使得电化 学沉积ZnO薄膜的生长机理尚不是|-分清楚此 ZnO具有良好的光电、压电和气敏特性，在发光 外，相对物理气相沉积和化学气相沉积而言，电化学 二极管、光探测器、表面声波器件、透明导电薄膜、太 沉积的ZrtO薄膜质量较差，改善电化学沉积薄膜的 阳能电池窗口及气敏传感器等诸多领域有着广泛的 光学特性是目前该领域的一个研究热点． 应用”11ZnO作为一种新型半导体材料，其带隙宽 度为337eV，激子束缚能为60meV，因此可以实现 有透明和导电的双重特性．ITO玻璃的电导率在 室温下激子发射．自从1997年Tang等51报道了ZnO 薄膜的光抽运近紫外受激发射现象以后，ZnO再次 的金属导体，是电化学沉积ZnO薄膜的理想基片材 成为当今半导体材料研究领域的热点． 料．同时，1TO玻璃的透明特性对于ZnO薄膜在光电 日J；订ZnO薄膜的制备是人们研究的热点之一． 方面的应用具有十分重要的意义．因此，在电化学沉 关于ZnO薄膜的制备，人们探索了多种合成1二艺， 积方法制备ZnO薄膜方面，ITO玻璃基片受到人们 例如反应磁控溅射“11、分子柬外延”1、脉冲激光沉 的广泛关注”。”’．本文利用电化学沉积的方法，在 积“1、化学气相沉积”以及溶胶．凝胶“…等，和这些 ITO玻璃基片上，制备r具有高c轴择优取向的 方法相比，阴极电沉积制备ZnO薄膜的方法具有成 本低廉、操作简单易行，可在低温下操作以及适合大 规模工业生产等优点而受到人们的关注．自从Izaki 微观结构、结晶特性和表面形貌的影响，探讨了电化 和Omi等””报道了利用电化学沉积方法制备ZnO 薄膜以来，人们在如单晶金““、铜“…、多