直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究.pdfVIP

第41卷第5期 人 工 晶 体 学 报 v。1．4lNo．5 呈Q!兰生!Q旦 !Q堕垦型垒垦Q!璺!盟!旦垦!!垦堡垦兰量!垒兰量 Q!!!垦!!：兰Q!呈 直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜 的制备及电化学性能研究 张聪聪1一，戴 玮3，朱 宁1”，尹振超1”，吴小国1”，曲长庆1’2 (1，天津理工大学电子信息工程学院，天津300384；2．天津理工大学天津市薄膜电子q-通信器件熏点实验窀，天津300384 3．天津大学精密仪器与光电子丁程学院，天津300072) 摘要：采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor 石(BDD)薄膜，研究了压强对薄膜生长的影响，在压强为5500Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜，并用SEM、XRD 及拉曼光谱分析了薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜品质。测试结果表明，掺硼金刚石膜具有较好的成膜质量。霍尔 测试表明BDD的电阻率为0．0095n·cm，载流子浓度为1．1×1020em～；研究了BDD薄膜电极在硫酸钠空白底液、铁 氰化钾／亚铁氰化钾溶液和多巴胺溶液中的循环伏安曲线(CVs)，发现该金刚石薄膜电极在硫酸钠中具有较宽的电 化学窗口(约为4V)、接近零的背景电流和良好的可逆性，利用BDD电极检测多巴胺溶液，具有明显的氧化还原峰 值和较好的稳定性。结果表明利用该方法制备的BDD电极在电化学检测方面具有明显的优势。 关键词：直流电弧等离子喷射CVD；硼掺杂金刚石(BDD)；循环伏安法：多巴胺 中图分类号：0484 文献标识码：A of Films ElectrochemicalBoron Diamond Properties Doped Arc CVD DC Plasma Preparedby Jet ZHANG Wei Zhen—cha01 Cong．con91”，DAI3，ZHUNin91”，YIN 7，删Xiao．gu01”，QVChang—qin91，2 ofElectronicInformation of (1．School Technology，Tianjin300384，China； Engineering，TianjinUniversity Film of of Electronics＆Communication 2．TianjinKeyLaboratory Devices，Tia．jinUniversityTechnology，Tianjin300384，China； ofPrecisionInstrumentand 3．College Opto—electronicsEngineering，TianjinUniversity，Tianjin300072，China) 22 11June (ReceivedMay2012，accepted2012) AbstractBoro