碳化硼薄膜的电子束蒸发制备及表面分析.pdfVIP

第38卷 增刊2 稀有金属材料与工程 V01．38，Suppl．2 2009企12月 RAREMETALMATERIAI，SANDENGINEERING December2009 碳化硼薄膜的电子束蒸发制备及表面分析 杨水长1，廖志君1，刘振良1，范强1，伍登学1，卢铁城1’2 (I．四川大学技术教育部重点实验室，四川成都610064) (2．中科院国际材料物理中心，辽宁沈阳110015) 摘要：采用电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜，利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的结构，测量了薄膜的x射线光电 子能谱(xPs)，并利用原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表面分析。XRD结果表明：薄膜的结晶性随着衬底温度的升高逐 渐转好，在较低的衬底温度下制备出多晶碳化硼薄膜。XPS分析得到了碳化硼薄膜表面的化学成分和结构特性，其主 要成分为B·C。AFM结果表明，薄膜表面光滑平整、均匀致密，随着衬底温度的升高薄膜均方根(RMS)粗糙度逐渐增 大。 关键词：电子束蒸发；碳化硼薄膜：XRD：XPS 中图法分类号：0484．5 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2009)S2．0564．04 碳化硼(B。C)以其卓越的物理性质在机械、电子、 核技术等领域有着广泛的应运前景。它是自然界最硬 的结构和化学成分以及表面形貌进行了分析和探讨。 的超硬材料之一，其硬度仅次于金刚石和立方氮化硼。 1 实验 随着温度的升高，金刚石和立方氮化硼的硬度会逐渐 降低，而碳化硼在高温下却表现出较高的热稳定性， 1．1碳化硼薄膜的制备 当温度≥1100℃时，它是最硬的材料[I,21。除此之外，采用C．6型电子柬蒸发镀膜机制备碳化硼薄膜， 碳化硼还具有高熔点、低密度、高弹性模量、化学性 实验装置和原理文献[6]中做了详细介绍，实验参数见 质稳定、优异的热电性能、良好的力学稳定性、很低 表1。 的热膨胀系数以及一定的半导体特性等一系列优异性 膜料选用平均粒度为3mm，纯度为99．5％的碳化 能【3’4J，作为保护表面用于托卡马克(tokamak)装置是碳 化硼薄膜的一个重要应用，世界各国的许多托卡马克 前，依次用丙酮和乙醇水浴加热除去表面的有机物， 装置中都用到了碳化硼薄膜【5】。此外，在国家点火装 再用去离子水超声波清洗[71，最后在干燥室内烘干。 置(NIF)中，碳化硼薄膜作为氘一氚(DT)燃料容器和激 光驱动过程中烧蚀层，应用于激光惯性约束聚变 表1实验参数 Table1 Parametersofthe (ICF)[31。近年来，碳化硼薄膜在民用、军事和宇航等 experiment 领域引起了人们极大的兴趣，同时也取得了许多重大 Substrate 25，150，300，450 temperature／C 发现。 Target B^C Voltage／kV 6 碳化硼薄膜的合成方法有许多种，最常见的化学 CurrenVmA 100 气相沉积(CVO)有热丝法(HotFilament，HFCVD)和等 vacuum／Pa 5×10’4 Background 离子增强法(PECVD