表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子效应和量子效应的影响研究.pdfVIP

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  • 2015-09-11 发布于重庆
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表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子效应和量子效应的影响研究.pdf

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第卷第期 年月 59 4 2010 4 物  理  学  报 Vol.59,No.4,April,2010 10003290/ 2010/ 59 04 /2 74607 () ACTA PHYSICA SINICA 2010 Chin.Phys.Soc. 表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子 和量子效应的影响研究 1) 2) 郝立超  段俊丽 1)(同济大学物理学院,上海  200092) 2)(上海交通大学医学院附属新华医院,上海  200240) ( 年月日收到; 年月 日收到修改稿) 2009 8 6 2009 8 19 研究了 基 器件表面电荷和体

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