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- 2015-09-11 发布于重庆
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表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子效应和量子效应的影响研究,hemt器件,电荷耦合器件,电荷量子化,电荷的量子化,电荷耦合器件价格,空间电荷效应,量子器件,电荷注入效应,超导量子干涉器件
第卷第期 年月
59 4 2010 4 物 理 学 报 Vol.59,No.4,April,2010
10003290/ 2010/ 59 04 /2 74607
() ACTA PHYSICA SINICA 2010 Chin.Phys.Soc.
表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子
和量子效应的影响研究
1) 2)
郝立超 段俊丽
1)(同济大学物理学院,上海 200092)
2)(上海交通大学医学院附属新华医院,上海 200240)
( 年月日收到; 年月 日收到修改稿)
2009 8 6 2009 8 19
研究了 基 器件表面电荷和体
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