磁控溅射铜薄膜生长过程蒙特卡罗模拟.pdfVIP

磁控溅射铜薄膜生长过程的蒙特卡罗模拟 摘 要 薄膜技术在现代科技领域中有着广泛的应用。人们通过理论和试验对薄膜 的生长过程和机理进行了一系列的研究，但由于当代微观测试技术的局限性， 从而使得计算机仿真薄膜生长成为非常重要和有效的方法。由于薄膜的生长过 程是一个随机过程，所以蒙特卡罗方法便很自然地被应用于计算机仿真薄膜生 长这一过程。本文围绕蒙特卡罗仿真磁控溅射铜薄膜的生长开展了以下工作： 首先，介绍了薄膜生长的理论、研究现状、仿真模型及研究方法。重点分 析比较了薄膜微观沉积过程常用的两种方法：分子动力学和蒙特卡罗方法。并 且介绍了计算机图形学在仿真薄膜生长过程中的应用等。 然后，运用Monte Potts模型对 Carlo方法和Srolovitz等人提出的Q—state 磁控溅射Cu薄膜生长过程进行了计算机二维形貌模拟。考察了薄膜生长时间对 晶粒大小的影响。发现晶粒的长大是一个相互吞噬的动态过程。随着薄膜生长， 晶粒逐渐变大，单位表面内晶粒数目减少。但是当薄膜生长约500MCS后，晶 粒的平均粒径基本不变，约为9．