Ce3+注入对不同尺寸的nc-SiSiO2超晶格发光特性的影响.pdf

第30卷第3期 发 光 学 报 VoL30 No．3 2009年6月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCEJun．，2009 文章编号：1000-7032(2009)03-0417-04 Ce3+注入对不同尺寸的nc．Si／Si02 超晶格发光特性的影响 杜琦瑶，衣立新‘，王申伟，邬 洋 (北京交通大学光电子技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实验室，北京100044) 摘要：通过电子束蒸发方法以及高温退火处理，得到ne．Si／Si0：超晶格。将样品分别注入剂量为2．0×10“ cmq和2．0×10ucm’2的Ce3+，再对其进行二次退火处理，获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析 发现，样品发光强度的变化不仅受到Ce3+注入剂量的影响，而且也受到nc．Si颗粒大小的影响。在相同注入 计量和相同的二次退火处理温度下，nc．Si颗粒较大的样品经ce3+注入后其发光强度增强较为明显。 关键词：超晶格；硅纳米晶；Ce3+注入；光致发光 中图分类号：0482．31 PACS：78．55．Mb 文献标识码：A PACC：3250F；7855 1 引 言 A和B，其中SiO层厚分别为2am和4 am，Si02 体材料硅是一种间接带隙半导体材料，室温 层厚度均为4nm。将Si0／SiO：超晶格样品置入 下很难观察到较强的光致发光。自从Canham等 石英管中，在氮气保护下经1100℃高温退火，退 发现纳米硅在室温下能够发射可见光以来，纳米 火过程中SiO在高温下发生相分离归“3|，从而得 晶硅(nc．si)在光电器件上的应用潜力，极大地促 nm／4 nm／4 到2 am和4 am的nc-Si／Si0，超晶格 进了整个纳米硅领域研究的进展。研究表明， 样品。在160 cm。2和 keV功率下，分别以2×1014 nc—Si的光致发光主要是源于liC—Si的量子限域效 2×1015 cm也的剂量将铈离子注入到nc．Si／Si02 应¨qJ。目前，nc—Si的制备主要通过si直接注 超晶格样品中，然后在氮气保护下对样品进行二 入、溅射、热蒸发等方法，再经过二次退火处理得 次退火，退火温度为600℃。利用荧光分光光度 到埋在SiO：基质中的nc．Si【4-6]，但其发光效率都 计测量了二次退火后样品的室温光致发光光谱， 较低。如何增强nc．Si光致发光强度已经成为了 am。 光谱的激发光由氙灯发射，激发波长为330 该领域研究的热点。 对nc—Si进行氢钝化处理¨1能够有效提高其3结果与讨论 光致发光效率。但是，氢会随着温度的提高而裂 3．1 Ce¨注入剂量不同时，nc