Ni53.2Mn22.6Ga24.2单晶的磁控形状记忆效应和磁控超弹性特性.pdf

第45卷 第3期 No．3 金属孝跋V．01．45 2009年3月第351—355页 ACTAMETALLURGICASINICA M盯． 2009 pp．351—355 Ni53．2Mn22．6Ga24．2 单晶的磁控形状记忆效应 和磁控超弹性特性 游素琴·) 崔玉亭-，。) 武亮t)孔春阳·) 马 勇·) 杨晓红·) 潘复生z) 1)重庆师范大学物理与信息技术学院，重庆400047 2)重庆大学材料科学与工程学院，重庆400044 摘要 证实了Ni53．2Mn22．6Ga24．2单晶发生的两步马氏体相变行为是完全热弹性的．在磁场作用下，该材料的马氏体相变和 中间马氏体相变展现出相同的应变特征，且具有磁控双向形状记忆效应．磁场下应力一应变特性的测量结果表明，磁场不但对压应 力诱发马氏体相变过程中变体重取向所需应力的大小有影响，而且使原来不可逆的形变成为可逆，这种磁控超弹性特性预示了该合 金用作磁控超弹性元器件材料的可能性． 关键词 Ni—MI卜Ga合金，马氏体相变，形状记忆效应，超弹性 中图法分类号 TFl25．8 文献标识码 A 文章编号 0412—1961(2009)03一0351一05 MAGNETIC—FIELD—CoNTRoLLEDSHAPEMEMoRY EFFECTANDSUPERELASTICITYoF Ni53．2Mn22．6Ga24．2 SINGLECRYSTAL 2) PAⅣj吼s危e几g of andInformation Normal 400047 1)CollegePhy8ics Technology，ChongqingUniver8ityChongqing ofMaterial8Scienceand 400044 2)Department Engineering，Chongqinguniversity’Chongqing ∞优印D礼de他￡：CW玩玩唧，p叫瓠D巧扎fj他纠653疗2779，Bm凸tf?c∥c舭』』@J韶．com ＆啦矽Dned幻讹可Pr町ectD，C％锄ese胞礼is￡阿D，E砒∞跣。佗fⅣD．2D彻9砂，Ⅳo坑D佗谢ie礼ce PDs￡dDc￡Dmf FD让ndo抗on，or Sc钯n统s幻吖C犰饥orⅣD．2DD疗倒叩J9砂。他dⅣot“mf sc鼋enceFoundQ七窀on o|cho札gq讥go|c}谚n毡(No．cSTc。200々BB42sg) received revi8edform2008—11—23 Manll8cript2008-—08—29，in ABSTRACTA thermoelasticmartensitic trans- two__stepcomplete tr籼formation，marteIlsitic formationandintermartensitic was transformation，inNi53．2Mn22．6Ga24．2 sin91ecrystalproved．The